2017年中国石油大学(北京)地球物理与信息工程学院957电子技术基础[专硕]之电子技术基础-模拟部分考研题库
● 摘要
一、填空题
1． 三极管的死区电压（又称导通电压），对硅三极管而言是_____伏，对锗管为_____伏。
【答案】0.5V ，0.1V
2． 振荡器产生振荡的条件是_____。
【答案】正反馈，
3． 双极型三极管工作在放大状态的偏置特点是_____，工作在饱和区的偏置特点是_____。
【答案】发射结正偏、集电结反偏；发射结正偏、集电结正偏
【解析】三极管无论是PNP 型还是NPN 型在电流电压不同输入时，其发射结、集电结的状态是相同的，即截止区：发射结、集电结反偏；放大区：发射结正偏、集电结反偏；饱和区：发射结正偏、集电结正偏。
4． 采用开关稳压电源的目的是为了_____（①提高电源效率，②减小输出纹波）。
【答案】①
【解析】线性稳压电路的调整管工作在放大状态，自身功耗较大，效率较低。而开关稳压电路中的调整管工作在开关状态，当其截止时，因电流很小而管耗很小；当其饱和时，管压降很小使得管耗也很小，这将大大提高电路的效率。
5． （1）_____运算电路可实现的放大器。
（2）_____运算电路可实现（4）_____运算电路可实现函数（5）_____运算电路可实现函数（6）_____运算电路可实现函数方。
的放大器。
和c 均大于零。 和c 均小于零。
（3）_____运算电路可将三角波电压转换成方波电压。
【答案】（1）同相比例；（2）反相比例；（3）微分；（4）同相求和；（5）反相求和；（6）乘
二、判断题
6． BJT 属电压控制型器件，MOSFET 属电流控制型。（ ）
【答案】×
【解析】BJT 为电流控制型器件：基极电流控制射极电流，MOS 为电压控制型器件：栅源电
压控制漏极电流。
7． 电流并联负反馈（也称“电流-电流负反馈”）的闭环输出电阻满足关系
【答案】×
与开环输出电阻
其中A 为开环増益，为反馈系数。（ ）
【解析】电流负反馈增大输出电阻，所以两者的关系为:
8． P 沟道耗尽型MOSFET 的阈值电压（开启电压）大于0V 。（ ）
【答案】√
【解析】P 沟道耗尽型的阈值电压
9． N 沟道增强型MOSFET 的阈值电压（开启电压）小于0V 。（ ）
【答案】×
【解析】N 沟道增强型的开启电压
三、选择题
10．选择合适答案填入空内。
A. 电压 B. 电流 C. 串联 D. 并联
（1）为了稳定放大电路的输出电压，应引入（ ）负反馈； （2）为了稳定放大电路的输出电流，应引入（ ）负反馈； （3）为了增大放大电路的输入电阻，应引入（ ）负反馈； （4）为了减小放大电路的输入电阻，应引入（ ）负反馈； （5）为了增大放大电路的输出电阻，应引入（ ）负反馈； （6）为了减小放大电路的输出电阻，应引入（ ）负反馈。 【答案】（1）A ; （2）B ; （3）C ; （4）D ; （5）B ; （6）A 。
11．二极管的主要特点是具有（ ）。
A. 电流放大作用 B. 单向导电性 C. 稳压作用 【答案】B
【解析】二极管正向接入时电阻趋于零，相当于短路；反向接入时电阻趋于无穷大，相当于开路，所以二极管的主要特点是具有单向导电性。
12．多级负反馈放大电路在（ ）情况下容易引起自激。
A. 回路增益
大
B. 反馈系数太小 C. 闭环放大倍数很大 D. 放大器的级数少 【答案】A
【解析】产生自激振荡条件:
单级负反馈放大电路和二级负反馈放大电路都不能产
生自激振荡，只有三级和三级以上才可能产生自激振荡。
13．P 沟道FET 参与导电的载流子是（ ）。
A. 电子与空穴 B. 电子 C. 空穴 D. 不确定 【答案】C
【解析】P 沟道FET 主要靠P 的载流子进行导电，而在P 中多子为空穴。
14．二极管正向电压从0.65V 增加10%，则其正向电流的增加将（ ）。
A.10%
B. 大于10%
C. 小于10% D.15% 【答案】B
【解析】二极管在导通后电压电流关系近似为非线性指数关系，电流变化快
15．测得某晶体管三个电极之间的电压分别为则此晶体管的类型为（ ）。
A.PNP 锗管 B.NPN 锗管 C.PNP 硅管 D.NPN 硅管 【答案】A 【解析】由
知
可判断晶体管为锗管，因为硅管的由
知
由
知
晶体管工作在放大状态的PNP 管
晶体管为PNP 管。
由题中
外部条件是发射结正向偏置且集电结反向偏置，即NPN 管