2017年西南科技大学国防科技学院811电子技术基础之电子技术基础-模拟部分考研强化模拟题
● 摘要
一、选择题
1． P 沟道FET 参与导电的载流子是（ ）。
A. 电子与空穴 B. 电子 C. 空穴 D. 不确定 【答案】C
【解析】P 沟道FET 主要靠P 的载流子进行导电，而在P 中多子为空穴。
2． 某场效应管的输出特性如图5-1所示，试判断该管属于（ ）。
图
A. 沟道结型场效应管 B.N 沟道增强型MOS 管 C.N 沟道耗尽型MOS 管 D.P 沟道耗尽型MOS 管 【答案】C
【解析】由图的曲线可知，该管零偏时已有沟道存在，为耗尽型管。变大，则可断定为N 沟道，且为MOS 型。
3． 功率放大电路中，最大输出功率是指输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，负载上可获得的最大（ ）。
A. 交流功率 B. 直流功率 C. 平均功率
为正时，沟道宽度
D. 交、直流功率之和。 【答案】A
4． 微变等效电路法适用于放大电路的（ ）。
A. 动态分析 B. 静态分析 C. 静态和动态分析 【答案】C
【解析】晶体管的直流模型可以用于静态工作点的分析，h 参数等效模型可以用于动态参数分析。
5． 一个正弦波振荡器的反馈系数为
：大倍数|A|必须等于（ ）。
A.4 B.0.25 C.1 D.2.5
【答案】A
【解析】起振条件是
起振后维持稳定振荡的平衡条件是
6． 有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A 和B , 对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A 放大器的输出电压小，这说明A 的（ ）。
A. 输入电阻大 B. 输入电阻小 C. 输出电阻大 D. 输出电阻小 【答案】B
【解析】有题可知，输入电阻分压小，得出输入电阻较小。
若该振荡器能够维持稳定振荡，则开环电压放
二、填空题
7． 利用PN 结的_____电容随外加电压变化的特性可制成变容二极管，它工作时需要加_____偏压。
【答案】势垒、反向
【解析】PN 结中电容由势垒电容和扩散电容组成，正偏时以扩散电容为主，随正向电流增加而增加；反偏时以势垒电容为主，随反向电压的增加而减小。考虑到功耗特性，PN 结电容多采用其反偏电容。
8． 根据下列要求，将应优先考虑使用的集成运放填入空内。已知现有集成运放的类型是：①通用型②高阻型③高速型④低功耗型⑤高压型⑥大功率型⑦高精度型
（1）作低频放大器，应选用____。 （2）作宽频带放大器，应选用____。 （3）作幅值为（4）作内阻为
以下微弱信号的测量放大器，应选用____。 信号源的放大器，应选用____。
的放大器，应选用____。
（5）负载需5A 电流驱动的放大器，应选用____。 （6）要求输出电压幅值为
（7）宇航仪器中所用的放大器，应选用____。
【答案】（1）①；（2）③；（3）⑦；（4）②；（5）⑥；（6）⑤；（7）④。
9． _____反馈能使输入电阻提高，_____反馈能使输出电压稳定。
【答案】串联，电压。
【解析】引入串联负反馈可以増加输入电阻；电压负反馈能降低输出电阻，带负载能力强，输出具有恒压源特性，即能使输出电压稳定。
10．功放电路中采用自举电路的目的是为了_____（①减小交越失真；②平衡双向输出幅度）。
【答案】②
【解析】理论上甲乙类单电源互补对称电路可以使输出电压
试中，
远达不到
达到
的一半，但在实际测的电压，所以采用自
的一半。其中重要的原因就是电路中需要一个高于
举电路来升压。
11．三极管的死区电压（又称导通电压），对硅三极管而言是_____伏，对锗管为_____伏。
【答案】0.5V ，0.1V
三、分析计算题
12．低频功率放大电路如图（a ）所示，晶体管的输出特性如图（b ）所示。
图
（1）求输出功率
，工作点在交流负载线中点（为简化，略去饱和压降），充分激励时，试用图解法电源功耗
和集电极效率
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