2017年合肥工业大学医学工程学院803电子线路之电子技术基础-模拟部分考研冲刺密押题
● 摘要
一、分析计算题
1． 已知图所示电路中FET 的参数
：
试确定电阻
的值。
和
图
【答案】由图可知：将上式代入
得
由上式可得如下两个解：
若取解得
将使电路截止，故舍去。同理
同理的解也应舍去。
2． 用理想运放构成的电路如图1所示。已知：两个稳压管的性能相同，
正向导通电压为
稳定电压为
（2）
波形。
（1）试求电路的电压传输特性并画图；
试画出电路的输出电压的
图1
【答案】电路的电压传输特性如图2所示。
图2
3． 一单电源互补对称电路如图所示，设试回答下列问题： （1）静态时，电容（3
）若
两端电压应是多少？调整哪个电阻能满足这一要求？
出现交越失真，应调整哪个电阻？如何调整？
假设
和
中任意一个开
和
的
（2）动态时，若输出电压路，将会产生什么后果？
和的特性完全对称，为正弦波
，
图
【答案】电路为单端供电： （1）静态时，（2）若（3）若
或
两端电压应为中有一个开路，则
调整
或
可满足这一要求。
出现交越失真，是由于三极管部分处于截止状态，可增大
和管的静态功耗为
代入参数计算得到
即所以会烧坏功放管。
4． 分别判断图所示各电路中的场效应管是否有可能工作在恒流区。
图
【答案】因为图（a ）所示电路中的T 为N 沟道结型场效应管，夹断电压压有可能是不可大于
所以T 有可能工作在恒流区。
其栅极电位均为0, 栅一源电压
所以他们均处于截止状态。
栅一源电
图（b ）（c ）所示电路均为N 沟道MOS 管，开启电压
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