2018年哈尔滨工业大学电气工程及自动化学院826电子技术基础之电子技术基础-模拟部分考研强化五套模拟题
● 摘要
一、填空题
1． 双极型三极管内部有两个PN 结，即_____结与_____结。使三极管处于放大状态的外部条件是_____。
【答案】集电，发射，集电结反偏、发射结正偏。
2． 半导体中载流子的扩散运动是由_____引起的，漂移运动是由_____引起的。
【答案】载流子浓度梯度，电场
【解析】扩散是自发的，漂移是是由外力造成的
3． 对于下列要求分别应选用何种类型的反馈:
(1)某仪表放大电路要求输入电阻大、输出电流稳定，应选_____;
(2)某传感器产生的电压信号(无电流驱动能力) ，经过放大后希望输出电压与信号电压成正比，应选用_____;
(3)要得到一个电流控制的电流源，应选用_____；
(4)要构成一个电路，其输入电阻小、输出电压稳定，应选_____。
【答案】(1)电流串联负反馈(2)电压串联负反馈(3)电流并联负反馈(4)电压并联负反馈
【解析】电流负反馈、电压负反馈能稳定输出的电流电压，其中电流负反馈减小输出电阻，电压负反馈增加。串联反馈可以增大输入电阻，并联反馈减小输入电阻。
4． 在一甲乙类功率放大电路中，一个三极管导通的角度是，该电路的导通角是_____。
【答案】190°
【解析】晶体管工作在甲乙类状态时导通角为
三极管导通的角度是
，即为能够全部导通。 ，而在一甲乙类功率放大电路中，二、选择题
5． 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ ）。
A. 前者反偏，后者也反偏
B. 前者正偏，后者反偏
C. 前者正偏，后者也正偏
【答案】B
【解析】使晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置且集电结反向偏置。
6． 某放大电路在负载开路时的输出电压为4V ，接入的负载电阻后，输出电压降为3V ，这说明放大电路的输出电阻为（ ）。
A.
B.
C.
D.
【答案】C
【解析】输出电压为原输出电压的
即
7． 二极管正向电压从
A.10%
B. 大于10%
C. 小于10%
【答案】B
【解析】二极管在导通后电压电流关系近似为非线性指数关系，电流变化快。
8． P 沟道FET 参与导电的载流子是（ ）。
A. 电子与空穴
B. 电子
C. 空穴
D. 不确定
【答案】C
【解析】P 沟道FET 主要靠P 的载流子进行导电，而在P 中多子为空穴。
增加10%, 则其正向电流的增加将（ ）。 ，所以分压电阻值为原电阻值的，
三、分析计算题
9． 在图所示电路中，
已知够大。试问:
(1)最大输出功率和效率各为多少？
为多少？
输入电压的有效值约为多少？ (2)晶体管的最大功耗(3)为使输出功率达到和
管的饱和管压降，输入电压足
【答案】(1)最大输出功率和效率分别为
(2)晶体管的最大功耗
(3)输出功率为时的输入电压有效值为