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问题:

[填空题]

硅在高炉内的还原顺序是按SiO2→()→逐级进行的。

鼓风带入的热量增加使风口前的()温度提高。 已知u=36sin(ωt+π/4)伏,i=6sin(ωt+π/6)安,求μ和i的初相位和u和i的相位差,并指出哪个超前?哪个滞后? 管道形成的特点是炉顶和炉喉温度散开,管道处()。 目前往井内注同位素有哪几种方法?各述其简单原理。 一般结构箍筋弯折角度为()。 ["A、不应小于90º","B、不宜大于90º","C、135ºD、小于135º"]

硅在高炉内的还原顺序是按SiO2→()→逐级进行的。

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