2017年陕西师范大学物理学与信息技术学院852模拟电子技术考研题库
● 摘要
一、分析计算题
1 在图所示FET 放大电路中，
．已知
和
在交流通路中可视为短路。
管子参数
设
图
（1）求电阻
和静态电流
和
；（2）求正常放大条件下RE 可能的最大值（提示：正常放大时，工作点落在放大区（即恒流区））（3）设可忽略，在上述条件下计算【答案】（1）求
和
即有
（2）求故有
（3）计算
和
当
时，由
忽略R 6的影响，可得
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为使Q 点落在放大区，应满足的条件，即
2． 电流源电路如图（a ）和（b ）所示。设图中各晶体管参数相同，并设（1）试分别求图（a ）和（b ）电路（2）分析两电路
与
的关系。
的表达式。
图
【答案】（1）图（a ）是比例电流源电路。晶体管参数相同，因为所以则
（2）由（1）中
的表达式可以看出。一旦
确定后，
就确定了。但是由于有限值产生的
图（b ）是具有基极补偿电流的电流源电路。
误差，图（b ）电路的值远小于图（a ）电路的值。
3． 用理想运放构成的电路如图1所示。已知：两个稳压管的性能相同，
正向导通电压为
稳定电压为
（2）
波形。
（1）试求电路的电压传输特性并画图；
试画出电路的输出电压的
图1
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【答案】电路的电压传输特性如图2所示。
图2
4． 分别判断图所示各电路中的场效应管是否有可能工作在恒流区。
图
【答案】因为图（a ）所示电路中的T 为N 沟道结型场效应管，夹断电压压有可能是不可大于是
所以T 有可能工作在恒流区。
其栅极电位均为0, 栅一源电压
因为其栅一源电压有可能
所以他们均处于截止状态。 的某值，且
有可能
所以T 有可能工作在恒流区。
图（b ）（c ）所示电路均为N 沟道MOS 管，开启电压图（d ）所示电路中的T 为P 沟道结型场效应管，夹断电压结论：（a ）可能；（b ）不能；（c ）不能；（d ）可能。
栅一源电
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