2017年中国石油大学(北京)857电子技术基础之电子技术基础-模拟部分考研强化模拟题
● 摘要
一、填空题
1． 在阻容耦合共射放大电路中，影响低频响应的主要因素是_____，而影响高频响应的主要因素_____。
【答案】耦合电容大小，BJT 结电容大小
2． 振荡器产生振荡的条件是_____。
【答案】正反馈，
3． 利用PN 结的_____电容随外加电压变化的特性可制成变容二极管，它工作时需要加_____偏压。
【答案】势垒、反向
【解析】PN 结中电容由势垒电容和扩散电容组成，正偏时以扩散电容为主，随正向电流增加而增加；反偏时以势垒电容为主，随反向电压的增加而减小。考虑到功耗特性，PN 结电容多采用其反偏电容。
4． 滞回比较器引入正反馈，可以带来的好处是_____、_____。
【答案】提高输出电压的转换速度；提高抗干扰能力。
【解析】滞回比较器具有滞回特性，即具有惯性，因而有一定的抗干扰能力。同时滞回比较器中引入了正反馈，所以加快的转换速度。
5． 场效应管栅源电压的作用是_____。
【答案】控制漏极电流 【解析】场效应管栅源电压极电流。
可以改变导电沟道的宽窄，从而控制多子漂移运动所产生的漏
二、判断题
6． N 沟道增强型MOSFET 的阈值电压（开启电压）小于0V 。（ ）
【答案】×
【解析】N 沟道增强型的开启电压
7． 试判断下列有关有源滤波器的说法是否正确。
（1）带通阻滤波器电路的Q 值愈大，它的通带度就越窄（设特征频率不变）。（ ）
（2）低通滤波器的通带截止频率一定低于高通滤波器的通带截止频率。（ ） （3）组成有源带通滤波电路至少需要两个电容器（设器件的带宽为无穷大）。（ ） 【答案】
，Q 值越大，过渡带越窄，选择性越好；，低通滤波器的截止频率不一定低【解析】（1）（2），带通滤波器有上限截止频率和下限截止频率，所以至少需要两于高通滤波器的的截止频率；（3）阶，即两个电容器。
8． BJT 的热稳定性好于MOS 的热稳定性。（ ）
【答案】×
【解析】MOS 管为单极性管，热稳定性好于双极型管。
9． 在功率放大电路中，输出功率愈大，功放管的功耗愈大。（ ）
【答案】
【解析】输出功率用输出电压有效值V 和输出电流有效值I 的乘积来表示。设输出电压的幅值为越小。
，而管耗为输入功率-输出功率，，理论上来讲，在输入功率一定时，输出功率越大，功耗
三、选择题
10．测得某晶体管三个电极之间的电压分别为（ ）。
A.PNP 锗管 B.NPN 锗管 C.PNP 硅管 D.NPN 硅管 【答案】A 【解析】由
知
由
可判断晶体管为锗管，因为硅管的
知
由
知
晶体管工作在放大状态的PNP 管
晶体管为PNP 管。
由题中
外部条件是发射结正向偏置且集电结反向偏置，即NPN 管
则此晶体管的类型为
11．当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ ）。
A. 前者反偏，后者也反偏 B. 前者正偏，后者反偏 C. 前者正偏，后者也正偏 D. 前者反偏，后者正偏 【答案】B
【解析】使晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置且集电结反向偏置。
12．集成运放的输入级选用差动放大电路的主要原因是（ ）。
A. 减小温漂 B. 提高输入电阻 C. 增大放大倍数 【答案】A
【解析】差动放大电路采用特性相同的管子，使它们的温漂相互抵消，用在第一级，防止温漂被后级放大。
13．LC 正弦波振荡电路如图所示（ ）。
图
A. 该电路由于无选频网络，不能产生正弦波振荡 B. 该电路由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡 C. 该电路满足振荡条件能产生正弦波振荡
D. 该电路由于放大器不能正常工作，不能产生正弦波振荡 【答案】D
【解析】静态条件下，三极管的射极电压为使其处于截止状态
14．微变等效电路法适用于放大电路的（ ）。
A. 动态分析 B. 静态分析 C. 静态和动态分析 【答案】C
【解析】晶体管的直流模型可以用于静态工作点的分析，h 参数等效模型可以用于动态参数分析。
15．构成基本三角波发生电路，应选用（ ）。
A. 窗口比较器 B. 积分运算电路
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