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2017年西安邮电大学电子工程学院823电子技术基础考研题库

  摘要

一、选择题

1. 对图所示电路的描述,正确的是( )。

A. 可以构成复合管,等效成NPN 管 B. 可以构成复合管,等效成PNP 管 C. 不能构成复合管

图 电路

【答案】B

【解析】只要三极管满足发射结正向偏置且集电结反向偏置,即 以构成复合管;其中NPN 管

2. 某场效应管的输出特性如图所示,试判断该管属于( )。

A. 沟道结型场效应管 B.N 沟道增强型MOS 管 C.N 沟道耗尽型MOS 管 D.P 沟道耗尽型MOS 管

或是

就可

【答案】C

【解析】由图1的曲线可知,该管零偏时已有沟道存在,为耗尽型管。变大,则可断定为N 沟道,且为MOS 型。

为正时,沟道宽度

3. 分压式偏置电路稳定静态工作点的原理是利用了( )。

A. 交流电流负反馈 B. 交流电压负反馈 C. 直流电流负反馈 D. 直流电压负反馈 【答案】C

4. —个放大电路的对数幅频特性如图所示。当信号频率恰好为上限频率或下限频率时,实际的电压增益为( )。

A.43dB B.40dB C.37dB

D.3dB

【答案】C

【解析】在处,增益比中频增益下降3dB 。

5. 在输入量不变的条件下,若引入反馈后( ),则说明引入反馈是负反馈。

A. 输入电阻増大 B. 输入电阻减小 C. 输出量增大 D. 输出量减小 【答案】D

6. 集成运放电路采用直接耦合方式是因为( )。

A. 可获得很大的放大倍数 B. 可使温漂减小

C. 集成工艺难于制造大容量电容 【答案】C

【解析】直接耦合放大电路的突出优点是具有良好的低频特性,电路中没有大容量电容,所以易于将全部电路集成在一片硅片上构成集成电路。

二、简答题

7 多级放大电路如图(a )所示。已知JFET

的.

设各电容对交流信号可视作短路。

(1)试画出电路的交流通路和直流通路。 (2)说明各管的电路组态和各级的耦合方式。 (3)略去晶体管静态基极电流的影响,试计算静态(4)分别说明

短路和开路对电路的影响。

图(a )

【答案】(1)交流通路和直流通路分别如图(b )和(c )所示。

(2)

接成共漏组态

接成共射组态

接成共基组态。各级之间采用直接耦合方式,

上无直流压降,即

=0.,

信号与输入级之间采用电容耦合方式。

(3)对于结型场效应管,由于静态栅极电流近似为零,所以则

(4)当偏置电压

短路时,的输入信号

=0即输入信号被短路。当

开路时,无直流,栅极

截止。