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一、填空题

1． GAL 是_____可编程，GAL 中的OLMC 称_____。

【答案】与阵列；输出逻辑宏单元

2． 双极型三极管内部有两个_____。

【答案】集电；发射；集电结反偏，发射结正偏

3． 衡量

和

转换器性能优劣的两个主要指标为_____和_____。

结，即_____结与_____结。使三极管处于放大状态的外部条件是

【答案】转换速度；转换精度

4． 在阻容耦合共射放大电路中，影响低频响应的主要因素是_____，而影响高频响应的主要因素_____。

【答案】耦合电容大小；

结电容大小

5． 在功放电路中效率是指_____之比，乙类功放理想情况下的最大效率为_____。

【答案】负载获得的交流信号功率与电源消耗的总功率；

6． 整流电路如图1所示，输出电压平均值平均值

是_____。

是

若因故一只二极管损坏而断开，则输出电压

图

【答案】

【解析】一只二极管断开，此时电路为单相半波整流电路，因此输出电压的平均值为

二、综合计算题

7． 试用

（1）（2）

（图1）扩展为：

可附加译码器，集成逻辑门电路，最后画出各自逻辑图。

图1

【答案】（1）用字扩展技术扩展为有3位地址代码的

将8片RAM 接成字数更多的存储器，因为8

片中共有32个字，所以必须给它们编成32个不同的地址。然而每片集成电路上的地址输入端只

给出的地址范围全都0-7, 无法区分4片中同样的地址单元。因此，必须增加两位使地址代码增加到5位，才能得到第三片的

，

第四片的

个地址。如果取第一片的

第二片

输入端只好

4

4片RAM 的低4位地址是相同的，所以接

线时将它们分别并联起来就行了。由于每片RAM 上只有4个地址输入端，所以借用CS 端。图中2线-4线译码器将

的4种编码00、01、10、11分别译成

端，电路图如图2所示

个低电平输出信号，然后用它们分别去控制4片RAM 的

图2

（2

）先用位扩展技术扩展为储器通过位扩展的方式可构成每一片的

连接电路如图3所示。

再用字扩展技术扩展为的存储器，将2片的所有地址线、

用两片

的存

分别并联起来。

端作为整个RAM 输入/输出数据端的一位，总的存储容量为每一片存储容量的2倍。

图3

8． 微分电路如图（a ）所示，输入电压如图（b ）所示，设电路中理想的，试画出输出电压的波形，并标出其幅值。

运放是

图

【答案】由图可知，电路为基本的微分电路，输出电压与输入电压的关系为：

（1）当

时，

（2）当

（3）当

时

时，

因此可作出u 〇波形如图（b ）所示。