武汉科技大学2005电子技术答案考研试题研究生入学考试试题考研真题
● 摘要
2005年研究生入学电子技术试题答案
一、 选择填空题：
1. C 、电压，A 、电流
2. C 、正向，A 、反向
3. B 、共集电路，C 、共基电路
4. B 、输入级，A 、输出级
5. A 、偏置，C 、有源负载
6. D 、可以是无源元件，也可以是有源器件
7. B 、电路中存在反向传输的信号通路
8. B 、电压负反馈
9. C 、虚短，D 、虚断
二、 P N 结的伏安特性方程为：I=Is （e V/VT -1）
I 为流过PN 结的电流，I s 为PN 结的反向饱和电流，V 为外加电压，V T 为温度的电压当量，常温下，V T =26mV。
当外加正向电压，且V 比V T 大几倍时，I ≈I s *eV/VT 正向电流随正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态。
当外加反向电压，且V 比V T 大几倍时，I ≈-I s ，PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。 由PN 结的伏安特性方程的分析及其相应的特性曲线可见：PN 结具有单向导电性和非线性伏安特性。
三、（1）
直流通路: 交流通路
:
V CC =IB *R2+VBE +（I B +IC ）*（R 3+R4），解得：I B =28µA ，I C =1.4mA，V CE =6.4V
(2) rbe =rbb’+(1+β)VT / IE =1.13 KΩ, AV =Vo /Vi =-[β*( R5|| R6)]/[ rbe +(1+β) R3] =-4.4, Ri = R2||[ rbe +(1+β) R3]=11 KΩ, Ro ≈R 5≈2 KΩ
四、(1)v id = vi1- vi2=1000μV , v ic =( vi1+ vi2)/2=700μV
(2) vod =A VD * vid =150mV
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