问题:
A . 内部缺陷处的漏磁通比同样大小的表面缺陷漏磁通大B . 缺陷的漏磁通通常与试件上的磁场强度成反比C . 表面缺陷的漏磁通密度,随离开表面的距离增大而急剧下降D . 用有限线圈磁化长的工件,不需要进行分段磁化
● 参考解析
本题暂无解析
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