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2018年苏州大学城市轨道交通学院854电子技术基础(城市轨道)之电子技术基础-数字部分考研基础五套测试题

  摘要

一、填空题

1. 写出逻辑函数

【答案】【解析】

标准或与式就是

2. 8位DA 转换器当输入数字量只有最高位为高电平时输出电压为5V ; 若只有最低位为高电平,则输出电压为_____,若输入为10001000, 则输出电压为_____。

【答案】

3. 若CMOS 数字集成电路的电源电压

【答案】6.75。

【解析】CMOS 集成电路的电压噪声容限可达电源电压值的限值基本相等。

4. —个三级环形计数器的初始状态是态

=_____。 【答案】010

【解析】经过3的倍数个周期后,即39个周期后,

5. 8级扭环计数器的状态转换圈中,无效状态有_____个。

【答案】240

【解析】n 级扭环计数器的无效状态共有

个。

则40周期后

为高位),则经过40个时钟周期后的状

且高电平和低电平的噪声容

为15V , 则它的直流噪声容限为_____。 的标准与或式和标准或与式_____。

6. 如图所示电路输出逻辑的最小和为_____。

【答案】若C 为高位,则【解析】

7. 电路如图所示,其中的门电路均为TTL 门,则

_____;

_____。

【答案】同或,

,接小阻值电阻接地相当于接低电平,再同A

【解析】悬空高电平,输入为1,

8. ROM 的存储阵列如图所示,存储“1”的存储单元用“•”表示。化简后的逻辑表达式为_____;的逻辑表达式为_____;的逻辑表达式为_____。

【答案】

【解析】ROM 的存储阵列上用点加深的地方代表一个最小项,表达式就是最小项之和。

9. 以下半导体存储器,可重复编程的ROM 有_____,需要定时刷新的RAM 有_____,_____是其中读写速度最快的RAM , 典型应用事例_____充分体现了这点。

【答案】C 、D 、F ; B 、G ; G ; 高速缓存

【解析】在只读存储器中,掩模ROM 固定内容,不可更改;PROM 只能写入一次;EPROM 可进行重复编程,用紫外线照射进行擦除;

(EEPROM )用电信号擦除;快闪存储器(Flash

Memory )用电信号擦除,可以重复编程。SDRAM 是同步动态存储器,DDRRAM 属于SDRAM , DMA 、DRAM 主要应用于实时系统,它的速度更快,且具有2bit 的预读取能力,高速缓存比较常见。均需要进行定时刷新。

10.施密特触发器输入端加正弦波信号,则输出为同频率的_____。

【答案】矩形脉冲

【解析】施密特触发器状态转换过程中的正反馈作用,可以将边沿变化缓慢的周期性信号变换为边沿很陡的矩形脉冲信号。

二、简答题

11.由555定时器构成电路如图所示,试完成下列各项:

(1)开关S 分别与①、②、③连接时,电路能否振荡?若能振荡,画出对应出

的波形;并写出

的频率表达式;

的作用是什么?

的波形和输

(2)图 (a )中二极管