2017年空军工程大学理学院885电路综合之电子技术基础-模拟部分考研强化模拟题
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2017年空军工程大学理学院885电路综合之电子技术基础-模拟部分考研强化模拟题（一） . . 2 2017年空军工程大学理学院885电路综合之电子技术基础-模拟部分考研强化模拟题（二） 17 2017年空军工程大学理学院885电路综合之电子技术基础-模拟部分考研强化模拟题（三） 29 2017年空军工程大学理学院885电路综合之电子技术基础-模拟部分考研强化模拟题（四） 43 2017年空军工程大学理学院885电路综合之电子技术基础-模拟部分考研强化模拟题（五） 57
一、简答题
1． 共集电路的交流通路如图（a ）所示。
（1）画出高频等效电路。 （2）略去
的影响，计算上限频率
（表达式）。
（a ）
【答案】（1）尚频等效电路如图（b ）所示。
（b ）
（2）
图（b ）中两电容之间互相影响，求解极点比较麻烦，可用各电容的开路时间常数之
一般
是
对应的开路时间常数要远小于开路时从
对应的开路时间常数，
所以
式中，
看入的等效电阻，如图（c ）
和的倒数来计算
（c ）
由图（c ）可求得
由图（b ）可看出，它有两个零点，一个
在
但很高，对
的影响可略去）。
处，一个为有限值（可求
得
2． （1）请用振荡器三点式电路的组成法则说明图1（a ）电路不能振荡的原因。
（2）只修改一个元件，使图1（a ）电路起振，说明修改后的振荡器的振荡频率范围。 （3）为保证图1（b ）电路满足正反馈条件，请注明变压器的同名端，若不考虑管子的极间电容的影响，请估算该振荡器的振荡频率（其中
为高频旁路电容）。
图1
【答案】（1）对于图1（a ）中的MOS 管T ，由三点式振荡电路的原理可知，其源栅之间、源漏之间的电抗元件应该是同性质的，而漏栅之间的元件则与前两者的特性不同。
栅源GS 之间是L 和
的并联，性质可由两者的大小关系决定及频率范围确定，在低频下呈
为容性。漏栅GD 之间为
是容性元件，GD 之间
感性，而高频下呈容性；源漏SD 之间是
（2）修改电路，首先必须保证L
和容
改成电感元件
电容三点式LC 网络的电抗为
谐振下LC 网络呈纯阻性，由
得到
为感性才能形成正反馈。各个元件性质不符合三点式振荡的要求，该电路无法振荡。
的并联是容性，这在高频条件下自然满足。然后将电
呈现感性，以便满足三点式振荡电路的起振要求，如图2所示。
图2
（3）用瞬态极性判断，如图3, 如果要形成正反馈，变压器的同名端就一定不能在同一侧，图上标出了同名端。L 、C 和RL 形成选频网络，电路振荡的频率由其决定。
图3
求得其阻抗表达式
谐振状态下，选频网络应该呈现纯电阻特性，令上式中虚部为0的条件，即得
3． 图中所示电路是一个振荡电路，试回答以下问题：
（1）说出这是一个什么振荡电路。 （2）场效应管（3）振荡频率
在电路中的作用各是什么？
约为多少？
约是多少？
（4）稳定振荡时场效应管的漏电阻