2018年辽宁科技大学电子与信息工程学院811电子技术之电子技术基础-模拟部分考研仿真模拟五套题
● 摘要
一、简答题
1． 某放大电路的交流通路如图1所示，试用小信号模型分析法求
和
图1
【答案】根据交流通路画出小信号模型等效电路如图2所示。 由图2可知，流过电阻流过
的电流为:
的电流为:
，
图2 图3
(1)由于
，其中，根据输入输出回路
可得
(2)由于
其中，
，故有
(3)根据定义可由图
3得
2． 由理想运放A 和三极管T 组成的稳压电路如图所示，试导出输出电压关系式。
与基准电压
的
图
【答案】
由于A 为理想运放，因此
3． 某两级放大器的框图如图(a)所示.
(1)设第一级是NPN 共射放大电路, 第二级是NPN 共集放大电路. 如果由于第一级的而使
和产生削波失真:试画出为正弦信号时的(2)如将(1)中的NPN 管改成
PNP 管, 重复(1).
(3)如图(a)中是两级NPN
管共射电路级联, 当
为正弦信号时, 测得
为
, 即产生了
和的波形
.
值过大
顶部失真, 而且已知是由于第二级的工作点不合适产生的, 试问第二级产生了什么失真？
图(a)
【答案】(1)第一级第二级是共集电路,
跟随
过大, 饱和失真(同相,
和
的正半周要失真) , 第一级是共射电路的波形如图(b)和(c)所示.
与
反相；
图
(2)第一级如图(d)所示,
过大, 则产生饱和失真, 对PNP 管而言, 是的负半周产生失真, 跟随
,
如图(e)所示.
, 第二级工作点太低产生了截止失真而得所给
. 与反相
,
得
(3)V为正弦信号, 经放大反相后得
4． 已测得晶体三极管各极对地电位如图所示。试判断各晶体三极管处于何种工作状态(饱和、放大、截止或损坏) 。
图
【答案】锗管
，硅管
。晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正向，PNP 管
。三极管无论是PNP 型还是
偏置且集电结反向偏置，即NPN 管
NPN 型在电流电压不同输入时，其发射结、集电结的状态是相同的，即截止区:发射结、集电结反偏；放大区:发射结正偏、集电结反偏；饱和区:发射结正偏、集电结正偏。
在图(a)中，3AD6是锗PNP 管，所以晶体管工作在放大区。
在图(b)中，3DG6是硅NPN 管，所以晶体管工作在截止区。
在图(c)中，3CG2是硅PNP 管，在图(d)中，3BX1是锗NPN 管工作在临界饱和区。
5． 在图1所示电路中，已知为
V ，二极管的动态电阻可忽略不计。 (1)求出电路的振荡周期；(2)画出
和
的波形。
而和不为零，表明发射结短路，晶体管已损坏。，即发射结正偏
即集电结零偏，所以晶体管
，，即发射结反偏
，即集电结反偏，
，
即发射结正偏
即集电结反偏，
，集成运放的最大输出电压幅值
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