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土方工程题库
问题:
[单选] 开挖停机面以上或停机面以下不深的地方的土石,最适用于选择()
A . 正铲
B . 反铲
C . 索铲
D . 抓铲
在半导体生产中,湿法腐蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。 刻蚀的高选择比意味着只刻除想要刻去的那一层材料。 ()和()是市场竞争优势的体现,也是最大限度获取经济利益的保证。 硅二极管具有()导电性能。 A、以上均可以。 B、双向。 C、反向。 D、单向。 刻蚀速率通常正比于刻蚀剂的浓度。 开挖停机面以上或停机面以下不深的地方的土石,最适用于选择()
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在半导体生产中,湿法腐蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。
刻蚀的高选择比意味着只刻除想要刻去的那一层材料。
()和()是市场竞争优势的体现,也是最大限度获取经济利益的保证。
硅二极管具有()导电性能。
刻蚀速率通常正比于刻蚀剂的浓度。
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