● 摘要
金属栅/高k结构已经在亚45 nm节点的CMOS（complementary metal-oxide-semiconductor，即互补型金属氧化物半导体）技术中得到了广泛应用，从而延续了晶体管发展的摩尔定律。在金属栅极/高k介质结构的诸多问题中，调制有效功函数是一项十分重要的任务，因其决定了晶体管工作的阈值电压。然而金属栅极与高k介质间的费米能级钉扎效应阻碍了有效功函数的调制，因此对于其机制的理解十分重要。同时，Al掺杂调制有效功函数这一有效手段的定量解释也十分重要。另外，在超薄EOT（equivalent oxide thickness，即等效氧化物厚度）条件下（
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