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2017年西安工业大学理学院801电子技术(非电)之电工学·电子技术考研强化模拟题

  摘要

一、选择题

1. 下列触发器中上升沿触发的是( )。

A. 主从RS 触发器 B.JK 触发器 C.T 触发器 D.D 触发器 【答案】D

【解析】主从RS 触发器和主从JK 触发器属于脉冲触发;T 触发器下降沿触发,JK 触发器也有下降沿触发的;D 触发器上升沿触发。

2. 下列逻辑式中,正确的逻辑公式是( )。

【答案】A

【解析】很显然,答案为A 。

3. (多选)比较并行式逐次逼近式法正确的是( )。

A. 双积分式B. 并行式D. 双积分式【答案】BCD

【解析】速度:双积分式C. 逐次逼近式

的速度最慢,精度最低 的速度最快,精度最低

和双积分式这三种转换器的性能,下列说

的速度居中,精度也居中 的速度最慢,精度最高

逐次逼近式

并行式

精度:

并行式

次逼近式双积分式

4. 容量是512KX8的存储器共有( )

A.512根地址线,8根数据线 B.19根地址线,8根数据线 C.17根地址线,8根数据线

D.8根地址线,19根数据线 【答案】B

【解析】化为存储器内存的标准形式:

5. 由开关组成的逻辑电路如图所示,设开关亮的逻辑式为( )。

19为地址线,8为数据线。

分别有如图所示为“0”和“1”两个状态,

则电灯

【答案】C

【解析】要想电灯亮,开关A 打向

同时开关B 打向

时,或者开关A 打向同时开

关B 打向因此电灯亮的逻辑式为C 。

6.

已知放大电路中某晶体管三个电极的电位分别为( )。

A. B. C. D.

型锗管 型锗管 型硅管 型硅管

则该管为

【答案】C

7. 电路如图,

设出电压

的稳定电压为

的稳定电压为

设稳压管的正向压降为

则输

等于( )。

【答案】B

【解析】由电压源可以判断电流方向为顺时针方向,降

之和,即

是反向接入,

即为

是正向接入。又由于

正向压

稳压管只有工作在反向区,才表现出稳压特性,所以输出电压

8. 容量为位的ROM 共有( )条地址线。

A.13 B.14 C.15 D.12

【答案】A

【解析】ROM

的内存可以被表示成

所以地址线为13条。

的形式,其中n 表示地址线,X 表示数据线

稳定电压6V 与

二、填空题

9. 三极管的死区电压(又称导通电压),对硅三极管而言是_____伏,对锗管为_____伏。

【答案】

10.全波整流带电容滤波电路当负载电流加大时,输出电压将会下降的主要原因是_____。

【答案】电容滤波的作用减弱 【解析】随着负载电流加大时,负载

减小,时间常数

减小,致使电容滤波的作用减

弱,可见的变化范围在到之间之间。

11.半导体静态RAM 靠_____存储信息,半导体动态RAM 靠_____来存储信息。

【答案】触发器原理;电容存储电荷的原理

12.触发器按动作特点可分为基本型、_____、_____和边沿型。

【答案】同步型;主从型

13.场效应晶体管常用的分为_____和_____两大类,它们与普通双极型管相比较,最重要特点是_____。

【答案】结型;与导电

型;双极型管有两种载流子同时参与导电而场效应管只有一种载流子参