2017年西安工业大学理学院801电子技术(非电)之电工学·电子技术考研强化模拟题
● 摘要
一、选择题
1. 下列触发器中上升沿触发的是( )。
A. 主从RS 触发器 B.JK 触发器 C.T 触发器 D.D 触发器 【答案】D
【解析】主从RS 触发器和主从JK 触发器属于脉冲触发;T 触发器下降沿触发,JK 触发器也有下降沿触发的;D 触发器上升沿触发。
2. 下列逻辑式中,正确的逻辑公式是( )。
【答案】A
【解析】很显然,答案为A 。
3. (多选)比较并行式逐次逼近式法正确的是( )。
A. 双积分式B. 并行式D. 双积分式【答案】BCD
【解析】速度:双积分式C. 逐次逼近式
的速度最慢,精度最低 的速度最快,精度最低
和双积分式这三种转换器的性能,下列说
的速度居中,精度也居中 的速度最慢,精度最高
逐次逼近式
并行式
精度:
并行式
逐
次逼近式双积分式
4. 容量是512KX8的存储器共有( )
A.512根地址线,8根数据线 B.19根地址线,8根数据线 C.17根地址线,8根数据线
D.8根地址线,19根数据线 【答案】B
【解析】化为存储器内存的标准形式:
5. 由开关组成的逻辑电路如图所示,设开关亮的逻辑式为( )。
19为地址线,8为数据线。
分别有如图所示为“0”和“1”两个状态,
则电灯
图
【答案】C
【解析】要想电灯亮,开关A 打向
同时开关B 打向
时,或者开关A 打向同时开
关B 打向因此电灯亮的逻辑式为C 。
6.
已知放大电路中某晶体管三个电极的电位分别为( )。
A. B. C. D.
型锗管 型锗管 型硅管 型硅管
则该管为
【答案】C
7. 电路如图,
设出电压
的稳定电压为
的稳定电压为
设稳压管的正向压降为
则输
等于( )。
图
【答案】B
【解析】由电压源可以判断电流方向为顺时针方向,降
之和,即
是反向接入,
即为
是正向接入。又由于
正向压
稳压管只有工作在反向区,才表现出稳压特性,所以输出电压
8. 容量为位的ROM 共有( )条地址线。
A.13 B.14 C.15 D.12
【答案】A
【解析】ROM
的内存可以被表示成
所以地址线为13条。
的形式,其中n 表示地址线,X 表示数据线
,
稳定电压6V 与
二、填空题
9. 三极管的死区电压(又称导通电压),对硅三极管而言是_____伏,对锗管为_____伏。
【答案】
10.全波整流带电容滤波电路当负载电流加大时,输出电压将会下降的主要原因是_____。
【答案】电容滤波的作用减弱 【解析】随着负载电流加大时,负载
减小,时间常数
减小,致使电容滤波的作用减
弱,可见的变化范围在到之间之间。
11.半导体静态RAM 靠_____存储信息,半导体动态RAM 靠_____来存储信息。
【答案】触发器原理;电容存储电荷的原理
12.触发器按动作特点可分为基本型、_____、_____和边沿型。
【答案】同步型;主从型
13.场效应晶体管常用的分为_____和_____两大类,它们与普通双极型管相比较,最重要特点是_____。
【答案】结型;与导电
型;双极型管有两种载流子同时参与导电而场效应管只有一种载流子参
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