2018年海南大学信息科学技术学院872电子技术[专业硕士]之电子技术基础-模拟部分考研仿真模拟五套题
● 摘要
一、选择题
1． 电路如图, 设DZ1的稳定电压为6V , 则输出电压
等于（ ）。
的稳定电压为12V ，设稳压管的正向压降为
，
图
A.
B.
C. D.6V
【答案】B
【解析】由电压源可以判断电流方向为顺时针方向，
是反向接入，
即为
是正向接入。又由稳定电压6V 与
正
于稳压管只有工作在反向区，才表现出稳压特性，所以输出电压
向压降之和，即。
2． 某场效应管的输出特性如图所示, 试判断该管属于（ ）。
图
A. 沟道结型场效应管 B.N 沟道增强型MOS 管 C.N 沟道耗尽型MOS 管 D.P 沟道耗尽型MOS 管 【答案】C
【解析】由图的曲线可知, 该管零偏时已有沟道存在, 为耗尽型管。则可断定为N 沟道, 且为MOS 型。
3． LC 正弦波振荡电路如图所示，则（ ）。
为正时, 沟道宽度变大,
图
A. 该电路由于无选频网络，不能产生正弦波振荡 B. 该电路由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡 C. 该电路满足振荡条件能产生正弦波振荡
D. 该电路由于放大器不能正常工作，不能产生正弦波振荡 【答案】D
，使其处于截止状态，放大器不能工作。 【解析】静态条件下，三极管的射极电压为
4． 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入（ ）。
A. 共射电路 B. 共基电路 C. 共集电路
D. 共集一共基串连电路 【答案】C
【解析】共集电路输入电阻高，输出电阻低。
5．
测得某晶体管三个电极之间的电压分别为为（ ）。
A.PNP 锗管 B.NPN 锗管 C.PNP 硅管 D.NPN 硅管 【答案】A 【解析】
由
，可判断晶体管为锗管，因为硅管的
，则此晶体管的类型
。晶体管工作在放大状
态的外部条件是发射结正向偏置且集电结反向偏置，即NPN 管;
由，由由题中
知知
6． 接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（ ）。
A. 电阻阻值有误差 B. 晶体管参数有分散性 C. 晶体管参数受温度影响 D. 电源电压不够稳定 【答案】C
知
PNP 管，
，晶体管为PNP 管。
BJT 输入特性曲线将向左移动，【解析】温度升高时，这说明在相同的条件下，
随温度变化的规律与二极管正向导通电压随温度变化的规律一样，即温度每升高1℃,
。
将减小。减小
二、简答题
7． 图1所示电路为正交正弦波振荡电路，它可产生频率相同的正弦信号和余弦信号。已知稳压管的稳定电压
(2)求出电路的振荡频率； (3)画出
和
的波形图，要求表示出它们的相位关系，并分别求出它们的峰值。
。
(1)试分析电路为什么能够满足产生正弦波振荡的条件；
图1
【答案】(1)在特定频率下，由相位为因而
组成的积分运算电路的输出电压
滞后输入电压
超前输入电压
，
, 而由组成的电路的输出电压和
相位为
互为依存，存在满足相位条件。
在参数选择合适时也满足幅值条件，故电路在两个集成运放的输出同时产生正弦和余弦信号。(2)解方程组: