● 摘要
氧化铟锡(ITO)薄膜，是一种透明导电的n型半导体材料，常温下具有较低的电阻率和在可见光区域有较高的透过率。目前，ITO导电薄膜作为透明电极已广泛应用于液晶显示器（LCD），等离子体显示器（PDP），电致发光显示器（ELD）以及太阳能电池，建筑玻璃，触摸式开关等技术领域。本文主要进行了三个部分的研究工作，分别是：1. 在室温下纯Ar气气氛中采用射频反应磁控溅射方法分别在玻璃基底和PET基底上沉积ITO薄膜，重点研究了溅射压强对ITO薄膜沉积速率、方块电阻、紫外-可见-近红外透过率和反射率的影响。结果表明，随着溅射压强的增加，ITO薄膜的方块电阻先减小后增大，玻璃基底和PET基底分别在0.65 Pa和0.45 Pa时方块电阻达到最小值。同时随方块电阻的增大，薄膜在近红外波段的透过率增加，反射率降低。且制备的薄膜可见光区的平均透过率都在85%以上，光电性能优良。2. 建立了圆形靶磁控溅射膜厚分布的数学模型和物理模型，并对靶基距对膜厚分布的影响进行拟合。对拟合的结果进行了实验验证，研究了不同靶基距和溅射功率对ITO薄膜光电特性分布的影响。研究表明：靶基距对ITO薄膜的方块电阻的分布有较大影响。随靶基距增大，薄膜电阻分布逐渐均匀。3. 在对ITO薄膜光电特性分布研究的基础上，对所用设备进行了改造。将原来光电特性不好的部分过滤掉，保留性能较好部分，并且通过调整基底角度、位置和旋转方式室温下在PET基底上沉积出12 cm*12 cm的ITO薄膜。其方块电阻和可见光区透过率的平均偏差分别小于3%和4欧姆，均匀性较好。