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集成电路制造工艺员(三级)题库
问题:
[单选] 多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对()的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。
A . 二氧化硅
B . 氮化硅
C . 单晶硅
D . 多晶硅
信息披露办法中,采用现金分红方式的,保险公司不得使用()等比例性指标描述分红保险。 甲醇精馏单元,停仪表风后,()类工艺参数有显示。 A、压力。 B、流量。 C、温度。 D、液位。 鞭拳横向击打,力达()。 甲醇精馏单元,停仪表风,()工艺参数实际流量上升。 A、回流量。 B、加热蒸汽量。 C、入料量。 D、膨胀槽压力。 鞭拳能够借助转体的惯性,动作幅度()。 多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对()的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。
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信息披露办法中,采用现金分红方式的,保险公司不得使用()等比例性指标描述分红保险。
甲醇精馏单元,停仪表风后,()类工艺参数有显示。
鞭拳横向击打,力达()。
甲醇精馏单元,停仪表风,()工艺参数实际流量上升。
鞭拳能够借助转体的惯性,动作幅度()。
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