激光是通过（）产生的。 受激辐射。 自发辐射。 热辐射。 电流。
像管中（）的出现和使用，成为第三代像管出现的标志性部件。 负电子亲和势阴极；。 电子光学系统；。 微通道板MCP；。 光纤面板；。
为了使雪崩光电二极管正常工作，应在其P-N结上加（）。 A.高反向偏压。 B.低正向偏压。 C.高正向偏压。 D.低反向偏压。
下列像管的性能指标（）的值越高，像管的成像质量越好。 光电转换特性；。 等效背景照度；。 畸变；。 暗电流；。
PN结和光敏电阻的时间常数（）。 前者大。 后者大。 一样大。 不能确定。
硅光电二极管与硅光电池相比，前者比后者不正确的说法是（）
