2017年华中科技大学武汉光电国家实验室809材料科学基础考研仿真模拟题
● 摘要
一、选择题
1. 离子化合物中,阳离子比阴离子扩散能力强的原因在于( )。
A. 阴离子的半径较大
B. 阳离子更容易形成电荷缺陷
C. 阳离子的原子价与阴离子不同
【答案】A
2. 三条位错线在一节点相交,若有一条
( )。
【答案】A
3. 德拜模型中,低温时的比热表达为( )。
【答案】B
4. 金刚石的晶体结构为( ),其中碳原子的配位数是( )。
A. 面心立方格子
B. 简单立方格子
C. 体心立方格子
D.3
E.4
F.6
G.8
【答案】A ;E
【解析】金刚石的晶体结构为面心立方,结构中的每个原子与相邻的4个原子形成正四面体,其中碳原子的配位数为4。
5. (多选)影响固溶度的主要因素有( )。
A. 溶质和溶剂原子的原子半径差
B. 溶质和溶剂原子的电负性差
C. 溶质元素的原子价
指向该节点,另有两条和背离该节点,则有
D. 电子浓度
【答案】ABCD
6. 在金属、陶瓷和高分子中最易结晶的是( )。
A. 高分子
B. 陶瓷
C. 金属
【答案】C
7. 在晶体中
,的扩散是按( )机制进行的。
A. 空位
B. 间隙
C. 掺杂点缺陷
【答案】B
【解析】间隙扩散机制是指处于间隙位置的质点从一间隙位入另一邻近间隙位,必然引起质点周围晶格的变形。
8. 与(211)和(101)同属一晶带的有( )。
C. (010)
D. (221)
【答案】A
9. 三元系统相图中,若存在有n 条界线,则此系统相图中能连接出( )条连线。
A.3
B.n-1
C.n
D.n+1
【答案】C
【解析】三元系统相图中,存在几条界线就能在相图中连接出几条连线。
10.(多选)经冷变形的金属随后加热到一定温度将会发生回复再结晶,这是一个( )。
A. 低位错密度的晶粒取代高位错密度的晶粒的过程
B. 也是一个形核和长大的过程
C. 是一个典型的固态相变的过程
D. 也是重结晶过程
【答案】AB
二、名词解释
11.再结晶
【答案】再结晶是指形变金属在一定的加热条件下,通过新的可移动大角度晶界的形成及随后移动,从而形成无应变新晶粒组织的过程。
12.配位数
【答案】配位数是指晶体结构中任一原子周围最邻近且等距离的原子数目。
13.扩展位错
【答案】一个全位错分解为2个Shockley 不全位错,这样的2个Shockley 位错一起被称为扩展位错。
14.置换固溶体
【答案】溶质原子占据溶剂晶格中的结点位置而形成的固溶体称置换固溶体。当溶剂和溶质原子直径相差不大,一般在15%以内时,易于形成置换固溶体。铜镍二元合金即形成置换固溶体,镍原子可在铜晶格的任意位置替代铜原子。
15.致密度
【答案】致密度是表示晶胞中原子所占的体积与晶胞体积的比值,是衡量原子排列紧密程度的参数,致密度越大,晶体中原子排列越紧密,晶体结构越致密。
三、填空题
16.在均一的液相中靠自身的结构起伏和能量起伏等条件形成晶核的方式称为_____形核。
【答案】均匀
17.液态金属材料凝固条件有_____、和_____。
【答案】结构起伏;能量起伏;浓度起伏
18.细化晶粒不但可以提高材料的_____,同时还可以改善材料的_____和_____。
【答案】强度;塑性;韧性
19.二次再结晶是指_____;造成二次再结晶的原因有_____、_____和_____等。
【答案】在烧结的中、后期,少数巨大的晶粒在细晶粒消耗时的一种异常长大过程;原料粒径不均匀;烧结温度偏高;烧结速率太快
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