功率晶体管的浪涌电压吸收有（）形式。 A.RC吸收电路。 B.RCL吸收电路。 C.充放电RCD吸收电路。 D.放电阻断RCD吸收电路。
在制冷装置中，清除制冷系统内部污物的基本方法是（） 用过滤器。 用清洁剂。 用干燥剂。 用截止阀。
以下集成电路（）是GTR的专用集成电路。 A.HL201A/HL202A。 B.IR2110、IR2115、IR2130。 C.EXB35N系列。 D.FA5310、FA5311。
关于二次击穿，以下说法正确的是（）。 A.大功率晶体管GTR不会发生二次击穿。 B.功率MOSFET不会发生二次击穿。 C.二次击穿可能使器件永久性损坏。 D.二次击穿的过程很短暂。
男性，63岁。慢性咳嗽近20年，进行性加重气急3年。近年来自理生活亦有困难。1h前于一次剧烈的打嚏后感气急加重伴右侧胸痛来急诊。体检见患者神志模糊，显著呼吸困难和紫绀。两肺呼吸音普遍降低，肺底闻及细湿啰音。进一步的主要辅助检查应是（）. A.胸部X线摄片。 MRI。 CT。 B型超声显像。 放射性核素扫描。
男性，63岁。慢性咳嗽近20年，进行性加重气急3年。近年来自理生活亦有困难。1h前于一次剧烈的打嚏后感气急加重伴右侧胸痛来急诊。体检见患者神志模糊，显著呼吸困难和紫绀。两肺呼吸音普遍降低，肺底闻及细湿啰音。经检查确定为右侧自发性气胸，其治疗首先考虑（）.
