2017年湖北师范学院机电与控制工程学院819电子技术基础之电子技术基础-数字部分考研冲刺密押题
● 摘要
一、简答题
1． 用函数法化简下列函数为最简与或式。
（1）（2）（3）（4）【答案】⑴
（2）
（3）
（4）
2． 采用D 触发器和尽量少的门电路设计一个串行数据检测器，该电路具有1个数据输入端D 和1个时钟端口，1个信号输出端F 。当连续3个时钟触发时D 都为1或都为0, 则F 输出高电平，否则输出低电平。写出电路的转移/输出表，画出逻辑电路图。
【答案】采用D 触发器实现的串行右移移位寄存器形式，将串行序列检测转换为并行序列检
第 2 页，共 79 页
测。
在D 触发器构器中，
入的数据实际上已经寄存在换为检测
成的串行右移移位寄存
代入特性方程得状态方程：由此可见，输入D 端连续三个脉冲输
中。即将检测D 端是否连续输入了000或者111, 就转
三个状态是否为000或者111.
表
根据上述设计思路，得转移/输出如表所示。
根据表可得输出F 表达式为
逻辑电路图（见图）
图
3． 时序信号产生电路如图1所示，CP 为1kHz 正方波。
（1）说明74161和非门组成电路的逻辑功能； （2）对应CP 输入波形，画出电路中（3）计算
的输出脉宽
第 3 页，共 79 页
的电压波形。
（4）试问的频率与CP 的频率比是多少？
试问
与CT 的频率比又是多少？
（5）如改变74161数据输入，使
图1
【答案】（1）74HC161和非门组成四进制计数器, 。 （2）
的波形如图2所示。
图2
（3）（4）
的输出脉宽
时，
的频率为CP 频率的八分之一。
的频率为CP 频率的四分之一
（5）当=
4． 微型计算机的存储器常用的有SRAM 和DRAM 两种，请解释一下这两种存储器在结构和操作上有什么不同，分别用在什么地方？
【答案】SRAM 速度快，结构复杂，功耗大，静态存储单元是在SR 锁存器的基础上附加门控管而构成的，靠锁存器的自保功能存储数据的。SRAM 用于速度需要快的地方，如CACHE 。
DRAM 速度较慢，结构简单，功耗低，利用MOS 管栅极电容可以存储电荷的原理制成。存 储单元的结构能做得非常简单；需要两次地址给出和动态刷新；用于大量存储器的地方，如内存。
5． 试分析图（a ）所示组合逻辑电路的功能，并用数量最少、品种最少的门电路实现。
【答案】由逻辑电路图（a ）可以写出输出F 的逻辑函数式
第 4 页，共 79 页