华南理工大学半导体物理2006考研试题研究生入学考试试题考研真题
● 摘要
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华南理工大学
2006年攻读硕士学位研究生入学考试试卷
（试卷上做答无效，请在答题纸上做答，试后本卷必须与答题纸一同交回） 科目名称：半导体物理
适用专业：微电子学与固体电子学 共 页
一、解释下列概念：（20分）
1、霍尔效应：2、共有化运动 3、杂质补偿 4、肖特基势垒
5、 非平衡载流子寿命
二、简述硅和砷化镓能带结构的异同。（10分）
三、简述产生半导体激光的基本条件。（10分）
四、简述半导体光吸收的主要物理过程，并在能带示意图上定性表示之。（10分）
五、试述什么是简并、非简并半导体；给出非简并、并说明其含义。（15分）
六、请解释迁移率概念，并说明对于半导体硅而言影响其迁移率的主要因素。（15
七、请定性画出n-n 型异质结平衡时能带图，并给予简要解释。（15分）
八、 用n 型Si 衬底制成MOS 电容，解释该结构在积累、耗尽、弱反型、强反型下的
电容值变化规律，并画出高频、低频的C-V 曲线。（15分）
九、 在半导体硅材料中掺入施主杂质浓度N D = 1015/cm3，受主杂质浓度N A = 4×
1014/cm3；设室温下本征硅材料的电阻率ρi =2.2×105Ω.cm ，假设电子和空穴的迁移率分别为µn = 1350cm2/(V.S), µp = 500cm2/(V.S) ，不考虑杂质浓度对迁移率的影响，求掺杂样品的电导率。（20分）
十、 施主浓度N D = 1016/cm3的n 型单晶硅片，求室温下功函数是多少？若忽略表面
态的影响，当它同金属Al 、Au 、Mo 接触时，分别形成何种接触？并定性画出
N 该n 型硅与金属Al 接触前后的能带示意图。已知硅的电子亲和能X s =4.0eV，
193= 10/cm，设金属的功函数分别为W al = 4.05 eV, WAu = 5.20eV, WMo = 4.21 eV（20分）
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