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问题:

[单选] 贮罐完好标准,下列叙述不正确的是()。

A . A、罐体完整,质量符合要求
B . B、运转正常,效能良好
C . C、基础无均匀下沉
D . D、附件齐全,灵敏好用

在半导体工艺中,与氮化硅比较,二氧化硅更适合应用在()。 晶圆顶层的保护层。 多层金属的介质层。 多晶硅与金属之间的绝缘层。 掺杂阻挡层。 晶圆片上器件之间的隔离。 以下哪些对方面是创新对获取竞争优势的贡献:() 提升新产品开发能力。 提升工艺能力,打造先进的制造优势。 提升服务能力,赢得持续竞争优势。 提升组织适应环境变化的动态能力,构筑战略发展优势。 提升品牌效益。 下列各项、属于贮罐完好标准内容的是()。 A、运转正常,效能良好。 B、罐体完整,质量符合要求。 C、附件齐全,灵敏好用。 D、技术资料齐全准确。 掘沟的方法有那些? 在确定用户需求和产品定位之后,须进行质量功能展开保证产品从设计到生产。以下关于质量功能展开的4个阶段,哪项是正确的流程:() 产品规划;工艺计划;零件配置;生产计划。 生产计划;工艺计划;产品规划;零件配置。 生产计划;产品规划;工艺计划;零件配置。 产品规划;零件配置;工艺计划;生产计划。 贮罐完好标准,下列叙述不正确的是()。
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