2018年华中科技大学机械科学与工程学院831电子技术基础之电子技术基础-模拟部分考研基础五套测试题
● 摘要
一、分析计算题
1． 电路如图所示。设FET 参数为
:
. 当
分别取下列两个数值时,
判断场效应管是处在饱和区还是非饱和区, 并求饱和区中的电流。
(1) (2),
图
【答案】由图可见。电路为结型场效应管构成的共源放大电路。 饱和区与非饱和区临界线方程为
,
所以当因为(1)
设FET 进入饱和区, 则
进入饱和区; 当
进入非饱和区。
9
说明FET 工作在饱和区, 假设成立, 此时(2)
设FET 进入饱和区, 则
说明FET 工作在非饱和区, 此时
。
而应受VDS 的控制, 此时VDS 由FET
输出特性上
的曲线与电路的输出直流负载线的交点确定。
2． 电路如图1所示，输出在两个二极管的基础上再增加一个二极管，以提高输出电压。
(1)利用硅二极管恒压模型求电路的和(3)在输出电压端外接一负载
？
的变化范围。
(2)在室温300K 下，利用二极管的小信号模型求
问输出电压的变化范围如何？
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图
1
【答案】
(1)求二极管的电流和电压
(2)求的变化范围
的变化范围为(3)外接
后，由图2等效电路求得
图2
的变化范围为
。
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3． 某集成电路的输出级OCL 功放电路如图所示，(采用了由、和组成的电路。
(1)试分析、和
组成电路的工作原理；
(2)为了对输出级进行过载保护，图中接有
的偏置电路未画出) ，为了克服交越失真，
和，试说明进行过载保护的原理。
图
【答案】
(1)
、和
组成
“
扩大电路”。
的集电极与发射极间的电压
、
为
、
组
成的互补推挽输出级提供一个偏置电压，
可以克服输出波形的交越失真。的工作状态加以调节。由于流
入
，因此，由于
就可改变
(2)情况下到足以使
、、和
的偏压值和 和
分别组成过流保护电路，保护
和和
正常工作以免电流过大而损坏。正常的电流增大，将使
两端的压降増大
的电流。同理，在负向输出电
均截止。当正向输出电流过大，流过
的基极电流远小于流
过
管的
可根据功率放大管的电流，可求
出
基本为一固定值，只要适当调节、的比值，
管由截止状态进入导通状态，下降，从而限制了
流过大时，由截止状态进入导通状态，下降限制了
4． 电路如图(a)所示, 各晶体管的低频跨导为和
。试求解电压放大倍数
的表达式。
的电流，达到保护的目的。 管D —S 间的动态电阻分别为
和
|
(a)电路图图 (b)交流小信号模型
图