由4M×1位DRAM存储芯片构成8M×8位高集成度的内存条，所需该存储芯片的片数为（） 4。 8。 16。 32。
PC/104总线的引脚为（） 62根。 128根。 98根。 104根。
SRAM是利用（）来存储0和1的。 内部熔丝是否断开。 双稳触发器的两个稳态。 极间电荷是否积累足够的电荷。 浮置栅是否有足够的电荷。
在过程定义语句中，用（）伪操作标志过程的结束。 END。 ENDS。 ENDP。 HLT。
最能代表细胞坏死的三种改变是（）。 核膜破裂、核碎裂、胞质浓缩。 核溶解、胞质少和胞膜破裂。 核溶解、胞质浓缩和胞膜破裂。 核固缩、胞质固缩、细胞膜皱缩。 核固缩、核碎裂、核溶解。
Intel2764A在读出工作方式时、的电位应分别为（）
