2017年吉林大学仪器科学与电气工程学院904电子技术之电子技术基础-模拟部分考研题库
● 摘要
一、选择题
1． P 沟道FET 参与导电的载流子是（ ）。
A. 电子与空穴 B. 电子 C. 空穴 D. 不确定 【答案】C
【解析】P 沟道FET 主要靠P 的载流子进行导电，而在P 中多子为空穴。
2． 某场效应管的输出特性如图所示，试判断该管属于（ ）。
A. 沟道结型场效应管 B.N 沟道增强型MOS 管 C.N 沟道耗尽型MOS 管 D.P 沟道耗尽型MOS 管
图
【答案】C
【解析】由图1的曲线可知，该管零偏时已有沟道存在，为耗尽型管。变大，则可断定为N 沟道，且为MOS 型。
3． 测量一放大器的输出电阻时，当输出开路时，输出电压为3V ; 当负载为IV ，则该放大器的输出电阻为：（ ）。
A. B. C. D.
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为正时，沟道宽度
时，输出电压为
【答案】B
【解析】当输出开路时，输出电压3V 即相当于电压源，当接入即负载分压，且输出电阻不包括负载，所以输出电阻为
4． 图电路中，电阻的作用是（ ）。
的负载时，输出等于IV ，
图 电路图
A. 仅对共模信号起负反馈作用 B. 仅对差模信号起负反馈作用； C. 对共模、差模信号都起负反馈作用 D. 对共模、差模信号都无负反馈作用； 【答案】A
【解析】图中所示电路为差动电路，可以很强的抑制对共模信号，在差模信号作用下Re 中的电流变化为零，即Re 对差模信号无反馈作用，相当于短路，提高了对差模信号的放大能力。
5． 多级负反馈放大电路在（ ）情况下容易引起自激。
A. 回路增益
大
B. 反馈系数太小 C. 闭环放大倍数很大 D. 放大器的级数少 【答案】A
【解析】产生自激振荡条件:
单级负反馈放大电路和二级负反馈放大电路都不能产
生自激振荡，只有三级和三级以上才可能产生自激振荡。
6． LC 正弦波振荡电路如图所示，该电路（ ）。
A. 由于无选频网络不能产生正弦波振荡
B. 由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡 C. 满足振荡条件能产生正弦波振荡
D. 由于放大器不能正常工作，不能产生正弦波振荡
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图
【答案】D
二、简答题
7． 已知某放大器的幅频特性如图所示。
（1）试说明该放大器的中频增益、上限频率（2）
当
.
真？分别说明之。
和下限频率
通频带
。
和
. 时，输出信号有无失真？是何种性质的失
图
，【答案】（1）由图可得：中频增益为40dB ，即放大倍数为±100倍。（在
和
，处，增益比中频增益下降3dB ）
时，由公式
；的频率在中频段，而
0寸，
可以求出其所包含的
的频率在低频
（2）当频率：其中段，
生失真，即高频失真。当
的频率在高频段，可见输出信号要产
的频率在中频段，所以输出要产生失真，即低频失真。
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