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2018年西北师范大学物理与电子工程学院820电子技术之电子技术基础-模拟部分考研核心题库

  摘要

一、填空题

1. PN 结反偏时,内电场与外电场的方向_____, 有利于_____载流子的漂移运动。

【答案】相同,少数。

【解析】PN 结反偏时,外电场和内电场方向相同,PN 结电场强度增加,阻止多数载流子的扩散运动,同时加剧了N 区和P 区中少数载流子的漂移运动。

2. 在整流滤波电路中,采用滤波电路的主要目的是_____。

【答案】获取直流分量、抑制或减小输出信号中的纹波分量

3. 共模抑制比是_____之比, 因此越大, 表明电路的_____性能越好。

【答案】差模增益与共模增益, 对共模信号(如噪声) 的抑制

4. 某三极管处于放大状态,若各管脚对“地”电位,如图所示,试判断:

(1)管子类型_____,管子材料_____,

(2)管脚名称a_____,b_____,c_____。

【答案】(1)管子电极类型为NPN 管,管子材料为硅管;

(2)a为发射极,b 为基极,c 为集电极。

【解析】正偏压降为,所以管子材料为硅管。由于a 、b 两端正偏压降为,分别为发射极和基极,由图可以推出c 为集电极,集电结应该处于反偏状态,又因为c 点电位最高(说明有电子流失) ,所以集电极为N 型,所以该管为NPN 管,且b 为基极,a 为发射极。

二、选择题

5. 微变等效电路法适用于放大电路的( )。

A. 动态分析

B. 静态分析

C. 静态和动态分析

【答案】C

【解析】晶体管的直流模型可以用于静态工作点的分析,h 参数等效模型可以用于动态参数分析。

6. 某场效应管的输出特性如图所示, 试判断该管属于( )。

A. 沟道结型场效应管

B.N 沟道增强型MOS 管

C.N 沟道耗尽型MOS 管

D.P 沟道耗尽型MOS 管

【答案】C

【解析】由图的曲线可知, 该管零偏时已有沟道存在, 为耗尽型管。

则可断定为N 沟道, 且为MOS 型。

7. 选择合适答案填入空内。

A. 电压B. 电流C. 串联D. 并联

(1)为了稳定放大电路的输出电压,应引入( )负反馈;

(2)为了稳定放大电路的输出电流,应引入( )负反馈;

(3)为了增大放大电路的输入电阻,应引入( )负反馈;

(4)为了减小放大电路的输入电阻,应引入( )负反馈;

(5)为了增大放大电路的输出电阻,应引入( )负反馈;

(6)为了减小放大电路的输出电阻,应引入( )负反馈。

【答案】(1)A; (2)B; (3)C; (4)D; (5)B; (6)A。

为正时, 沟道宽度变大,

8. 由理想运放构成如图所示电路,试判断电阻反馈的类型属于( )。

A. 串联电压负反馈

B. 串联电流负反馈

C. 并联电压负反馈

D. 并联电流负反馈

【答案】A

【解析】利用瞬时极性法。输入为正,输出也为正,反馈电压也为正,使运放的输入减小,所以为负反馈。此题中以运放输出端电压为取样信号,故为电压反馈。对运放来讲反馈到同一输入端的组态是并联负反馈,反馈到另一输入端是串联反馈。

三、简答题

9. 电路如图所示,已知稳压管的稳定电压为6V ,最小稳定电流为5mA ,允许耗散功率为240mW ,动态电阻小于

(2)若。试问: 为时,限流电阻R 的选取范围是多少? ,则电路的稳压系数为多少?

(1)当输入电压为20〜24V 、

【答案】(1)根据题意,

故R 的取值范围为:

(2)当时稳压系数最大,为