2017年安庆师范学院电子技术基础(同等学力加试)之电子技术基础-模拟部分考研复试核心题库
● 摘要
一、简答题
1． 电路如图所示。
（1）为使电路产生正弦波振荡，标出集成运放的“+”和“-”并说明电路是哪种正弦波振荡电路。
（2）若（3）若
短路，则电路将产生什么现象？ 断路，则电路将产生什么现象？
（4）若短路，则电路将产生什么现象？ （5）若断路，则电路将产生什么现象？
图
【答案】（1）放大器A 上“-”下“+”，该电路为RC 桥式正弦波振荡电路。 （2）若（3）若（4）若（5）若
短路，集成运放工作在开环状态，差模增益很大，使输出严重失真，几乎为方波，断路，集成运放构成电压跟随器形式，电压放大倍数为1，不满足正弦波振荡的幅短路，集成运放构成电压跟随器形式，电压放大倍数为1, 不满足正弦波振荡的幅断路，集成运放工作在开环状态，差模增益很大，输出严重失真，几乎为方波。
不能构成振荡。
值条件，电路不起振，输出为零。 值条件，电路不起振，输出为零。
2． —个高输入电阻的桥式放大电路如图所示，试写出的表达式
图
【答案】A1和A2为电压跟随器，有
为差分式运放电路A3的输入信号电压，即有
3．
型晶体管基区的少数载流子的浓度分布曲线如图所示。 （1）说明每种浓度分布曲线所对应的发射结和集电结的偏置状态。 （2）说明每种浓度分布曲线所对应的晶体管的工作状态。
图
【答案】对于
晶体管，当发射结（集电结）正偏时，由于从发射区（集电区）向基区注
处P 区边界上少子电子的浓度大于平衡的电子浓度
入了非平衡少子电子，所以
当发射结（集电结）反偏时，在阻挡层两侧边界上的少子浓度趋向于零。据此，可以判别：
（1）图（a ）:发射结反偏，集电结反偏。图（b ）:发射结正偏，集电结反偏。 图（c ）:发射结正偏，集电结正偏。图（d ）:发射结反偏，集电结正偏。 （2）图（a ）:截止。图（b ）:放大。 图（c ）:饱和。图（d ）:反向放大。
4． 电路如图所示，已知稳压管的稳定电压为6V , 最小稳定电流为5mA , 最大耗散功率为240mW ; 输入电压为20〜24V ,
（2）当
=3600。试问：
应选多大？
（1）为保证空载时稳压管能够安全工作，
按上面原则选定后，负载电阻允许的变化范围是多少？
图
【答案】
中的电流和稳压管中的最大电流为
（1）根据题意，
空载时，负载电流最小，若稳压管安全工作，则必须满足
解得
故
（2）带负载时，若稳压管正常工作，必须保证
由式①②得
因此，负载的变化范围是
5． 电路如图所示，其中三极管
（1）求静态工作点（2）求中频段电压放大倍数（3）求电路下限截止频率样调整，可以实现这个目的。
和
的值；
（4）如果试图提高电路的下限截止频率，而手头没有多余的元器件，对电路中的元器件做怎
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