2018年南京航空航天大学航天学院823电工电子学之电工学-电子技术考研仿真模拟五套题
● 摘要
一、选择题
1. 共射基本放大电路的输出电压波形如图所示,要消除此非线性失真可调节参数( )。
A. 增大B. 减小C. 增大D. 减小
图
【答案】C
【解析】可见此失真为饱和失真,原因为静态工作点过高,因此可以增大静态工作点
2. 已知输入电压和2个电路输出电压电路,框图2应为( )电路。
A. 多谐振荡器 B. 二分频电路 C. 单稳态触发器 D. 压控振荡器。
来降低
的波形如图所示。试分析框图1应为( )
图
【答案】C ; D
【解析】由波形图可以看出
是被触发后一定相同时间内保持高电平,这明显是单稳态触发
器的特点,而是两个触发时钟只有一个电平产生,频率是触发脉冲的一半,所以是分频器。
3. 共射极阻容耦合放大电路,若将第二级换成射极输出器,则第一级电压放大倍数将( )
A. 提尚 B. 降低 C. 不变 【答案】A
【解析】射极输出器的输入电阻数
也増大。
很高,相当于前极放大电路的负载电阻增大,因此放大倍
4. 容量是512KX8的存储器共有( )
A.512根地址线,8根数据线 B.19根地址线,8根数据线 C.17根地址线,8根数据线 D.8根地址线,19根数据线 【答案】B
【解析】化为存储器内存的标准形式:
19为地址线,8为数据线。
二、综合计算题
5. 已测得晶体三极管各极对地电位如图所示。试判断各晶体三极管处于何种工作状态(饱和、放大、截止或损坏)。
图
【答案】(1)在图电结反
偏,所以晶体管工作在放大区。 (2)在图(3)在图坏。
(4)在图
中,
是锗
管
即发射结正偏
中,中,
是硅是硅
管,管,
即发射结反偏
中,
是锗
管,
' 即发射结正偏
即集
即集电结反偏,
所以晶体管工作在截止区。
不为零,表明发射结短路,晶体管已损
即集电结零偏,所以晶体
管工作在临界饱和区
6. 在图所示电路中,已知
求解:
(1)最大不失真输出电压的有效值; (2)负载电阻
上电流的最大值;
和效率
(3)最大输出功率
管的饱和管压降
输入电压足够大
图
【答案】(1)最大不失真输出电压有效值
负载电流最大值
最大输出功率和效率分别为
7. 试判断图中二极管是导通还是截止,为什么?