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2018年南京航空航天大学航天学院823电工电子学之电工学-电子技术考研仿真模拟五套题

  摘要

一、选择题

1. 共射基本放大电路的输出电压波形如图所示,要消除此非线性失真可调节参数( )。

A. 增大B. 减小C. 增大D. 减小

【答案】C

【解析】可见此失真为饱和失真,原因为静态工作点过高,因此可以增大静态工作点

2. 已知输入电压和2个电路输出电压电路,框图2应为( )电路。

A. 多谐振荡器 B. 二分频电路 C. 单稳态触发器 D. 压控振荡器。

来降低

的波形如图所示。试分析框图1应为( )

【答案】C ; D

【解析】由波形图可以看出

是被触发后一定相同时间内保持高电平,这明显是单稳态触发

器的特点,而是两个触发时钟只有一个电平产生,频率是触发脉冲的一半,所以是分频器。

3. 共射极阻容耦合放大电路,若将第二级换成射极输出器,则第一级电压放大倍数将( )

A. 提尚 B. 降低 C. 不变 【答案】A

【解析】射极输出器的输入电阻数

也増大。

很高,相当于前极放大电路的负载电阻增大,因此放大倍

4. 容量是512KX8的存储器共有( )

A.512根地址线,8根数据线 B.19根地址线,8根数据线 C.17根地址线,8根数据线 D.8根地址线,19根数据线 【答案】B

【解析】化为存储器内存的标准形式:

19为地址线,8为数据线。

二、综合计算题

5. 已测得晶体三极管各极对地电位如图所示。试判断各晶体三极管处于何种工作状态(饱和、放大、截止或损坏)。

【答案】(1)在图电结反

偏,所以晶体管工作在放大区。 (2)在图(3)在图坏。

(4)在图

中,

是锗

即发射结正偏

中,中,

是硅是硅

管,管,

即发射结反偏

中,

是锗

管,

' 即发射结正偏

即集

即集电结反偏,

所以晶体管工作在截止区。

不为零,表明发射结短路,晶体管已损

即集电结零偏,所以晶体

管工作在临界饱和区

6. 在图所示电路中,已知

求解:

(1)最大不失真输出电压的有效值; (2)负载电阻

上电流的最大值;

和效率

(3)最大输出功率

管的饱和管压降

输入电压足够大

【答案】(1)最大不失真输出电压有效值

负载电流最大值

最大输出功率和效率分别为

7. 试判断图中二极管是导通还是截止,为什么?