● 摘要
混合纳米结构通过组分临近耦合效应赋予材料新的物化性能（如磁等离子体），由铁磁合金和贵金属构成的活性纳米等离子体，可以增强材料磁电、局域表面等离子体共振效应和磁光效应，在高密度磁光存储、非互易器件、激光陀螺等方面有重要应用。一般的制备方法无法实现大面积制备各层结构可控、规整可识的材料。本实验选用的制备方法为阳极氧化法制备AAO模板，磁控溅射沉积制备混合结构纳米阵列则可以实现大面积、可控地制备纳米材料。
本文使用阳极氧化法制备AAO模板，通过磁控溅射在模板上沉积混合结构纳米阵列(Ag/ITO/CoFeB/ITO/Ag)。首先分析了混合结构纳米阵列的光学性能，包括纳米孔尺寸对光学性能的影响、混合结构纳米阵列的光学性能、ITO厚度及ITO导电性对材料光学性能的影响。研究结果表明，模板孔径尺寸80nm制备的含有导电性好的ITO的混合结构纳米阵列具有更独特的光学性能，其吸光度高、振幅大、对光的敏感性好，是很理想的光学材料。
通过量子扰动超导探测器（SQUID）对由60nmAAO模板制备的纳米材料的磁性进行了相关的测试分析，包括对多孔结构、Ag的存在、CoFeB厚度以及ITO厚度对纳米材料磁性能的影响进行了分析。通过对比实验结果，我们发现由60nmAAO模板制备的纳米阵列均具有高场顺磁转变敏感性，多孔结构及Ag的存在均增加了材料的矫顽力，磁性材料CoFeB及光学材料ITO的厚度对纳米阵列的磁性能的影响均不是线性的，在一定范围内，增加CoFeB的厚度可以增加水平场中纳米材料的矫顽力。我们进一步通过磁光克尔效应测量了由20nmAAO、80nmAAO模板制备的纳米阵列在不同角度磁场中的磁滞回线。研究结果表明，20nmAAO模板制备的纳米阵列在不同角度磁场中的磁滞回线只发生上下移动；80nmAAO模板制备的纳米阵列在不同角度磁场中的磁滞回线在发生上下移动的同时还伴随矫顽力的变化。