2017年华中科技大学武汉光电国家实验室809材料科学基础考研冲刺密押题
● 摘要
一、选择题
1． 在A-B 二元合金中，其共晶合金的强度（ ）其固溶体的强度。
A. 大于
B. 等于
C. 小于
【答案】A
2． 下面关于位错应力场的表述中，正确的是（ ）。
A. 螺型位错的应力场中正应力分量全为零
B. 刃型位错的应力场中正应力分量全为零
C. 刃型位错的应力场中切应力分量全为零
【答案】A
3． 螺型位错的位错线是（ ）。
A. 曲线
B. 直线
C. 折线
D. 环形线
【答案】A
4． 高分子的主链结构对单键内旋转有重要影响。下列最易单键内旋转的主链结构是（
A.Si-0键
B.C-C 键
C.C-0键
【答案】A
5． 离子化合物中，阳离子比阴离子扩散能力强的原因在于（ ）。
A. 阴离子的半径较大
B. 阳离子更容易形成电荷缺陷
）。
C. 阳离子的原子价与阴离子不同
【答案】A
6． 在七大晶系中属于尚级晶族的晶系有（ ）。
A.1个
B.2个
C.3个
D.4个
【答案】A
【解析】在七大晶系中属于高级晶族的晶系只有一个，即立方晶系。
7． （多选）在石英的相变中，属于重建型相变的是（ ）。
A.
B.
C.
D.
【答案】A ；C
8． 极性共价键的形成条件若以成键两原子间电负性差来表示时，其电负性差值为（ ）
。
【答案】A
【解析】
金属键形成的条件是
A. 配位数越高，致密度越低
B. 配位数越高，致密度越高
C. 配位数越高，间隙半径越大
D. 配位数越高，间隙半径越小
【答案】B
10．德拜模型中，低温时的比热表达为（ ）。
【答案】B
离子键形成的条件是
共价键形成的条件是9． 位数与致密度及间隙半径之间的关系是（ ）。
二、名词解释
11．科垂尔气团（CottrellAtmosphere ）
【答案】科垂尔气团是溶质原子在刃型位错周围的聚集的现象，这种气团可以阻碍位错运动，产生固溶强化效应等结果。
12．全位错与不全位错
【答案】全位错是指柏氏矢量等于晶体点阵矢量的位错；不全位错是指柏氏矢量不等于晶体点阵矢量的位错。
13．反应扩散
【答案】反应扩散是通过扩散而形成新相的过程。即在固态扩散的过程中，如果渗入元素在金属中溶解度有限，随着扩散原子增多，当渗入原子的浓度超过饱和溶解度时则形成不同于原相的固溶体或中间相，从而使金属表层分为出现新相和不出现新相的两层的过程。
14．成分过冷
【答案】成分过冷是指合金溶液在凝固时，理论凝固温度不变，过冷度完全取决于溶质成分的分布的现象。
15．致密度
【答案】致密度是表示晶胞中原子所占的体积与晶胞体积的比值，是衡量原子排列紧密程度的参数，致密度越大，晶体中原子排列越紧密，晶体结构越致密。
三、填空题
16．位错在滑移面上的运动称为_____，作垂直滑移面的运动称为_____。螺位错不能进行_____。
【答案】滑移；攀移；攀移
17．当过冷液体中出现一个晶胚时，总的自由能变化AG 可写为_____，当
值称为_____，其大小决定于_____和_____
，
【答案】变小意味着形核数目_____。 临界晶核半径；过冷度；比表面能；增多 时，
所得的
18．常见的高分子材料晶态模型有_____、_____和_____三种。
【答案】缨状微束模型；折叠链模型；插线板模型
19．扩散系数越_____，结构缺陷越多，扩散速度越_____。
【答案】小；快
20．点缺陷的平衡浓度随_____的升高而增大。
【答案】温度
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