2017年苏州大学机电工程学院841电子技术基础(机电)之电子技术基础-模拟部分考研冲刺密押题
● 摘要
一、选择题
1． 二极管正向电压从0.65V 增加10%，则其正向电流的增加将（ ）。
A.10%
B. 大于10%
C. 小于10% D.15% 【答案】B
【解析】二极管在导通后电压电流关系近似为非线性指数关系，电流变化快
2． LC 正弦波振荡电路如图所示（ ）。
图
A. 该电路由于无选频网络，不能产生正弦波振荡 B. 该电路由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡 C. 该电路满足振荡条件能产生正弦波振荡
D. 该电路由于放大器不能正常工作，不能产生正弦波振荡 【答案】D
【解析】静态条件下，三极管的射极电压为
使其处于截止状态
3． 在输入量不变的条件下，若引入反馈后（ ），则说明引入反馈是负反馈。
A. 输入电阻増大 B. 输入电阻减小 C. 输出量增大 D. 输出量减小 【答案】D
4． P 沟道FET 参与导电的载流子是（ ）。
A. 电子与空穴 B. 电子 C. 空穴 D. 不确定 【答案】C
【解析】P 沟道FET 主要靠P 的载流子进行导电，而在P 中多子为空穴。
5． LC 正弦波振荡电路如图所示，该电路（ ）。
A. 由于无选频网络不能产生正弦波振荡
B. 由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡 C. 满足振荡条件能产生正弦波振荡
D. 由于放大器不能正常工作，不能产生正弦波振荡
图
【答案】D
6． 通用型集成运放适用于放大（ ）。
A. 高频信号 B. 低频信号 C. 射频信号 D. 任何频率的信号 【答案】B
二、判断题
7． BJT 有两种载流子参与导电，MOSFET 只有一种。（ ）
【答案】√
【解析】BJT 有电子和空穴参与导电，MOS 只有电子或空穴参与导电。
8． BJT 的热稳定性好于MOS 的热稳定性。（ ）
【答案】×
【解析】MOS 管为单极性管，热稳定性好于双极型管。
9． 为了改善阻容耦合放大电路的高频响应特性可通过下列措施实现：
（1）改用特征频率高的晶体管。（ ） （2）增大耦合电容的容量。（ ）
（3）改进布线工艺，减小线路分布电容。（ ） 【答案】 √； ×； √。 【解析】提高特征频率响应特性。由
可以使上限截止频率增大，符合高频信号的要求，改善电路的高频
提高，则应使电容减小。
可知，要使
10．因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ）
【答案】 ×
【解析】N 型半导体的多子是自由电子，电子漂移能力强，由于原子结构中还有原子核带正电，在没有外界电流的参与下是不带电的，不能说N 型半导体带负电。
三、分析计算题
11．某稳压电源如图所示。已知稳压管的稳定电压流管的
试问：
（1）输出电压的极性和大小如何？ （2）负载电阻RL 的最小值约为多少？ （3）如稳压管
接反，后果如何？
整
图
【答案】（1）当输入电压为正时，输出电压为上正下负，大小在0〜36V 之间变化；当输入电压