电子科技大学(成都)832微电子器件2014考研试题研究生入学考试试题考研真题
● 摘要
电子科技大学
2014年攻读硕士学位研究生入学考试试题
考试科目：832 微电子器件
注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、填空题（共48分，每空1.5分）
1、PN 结二极管用途广泛，在作为变容二极管使用时，主要利用其（ ）向偏置的
（ ）电容；在作为温度传感器使用时，主要利用其正向导通压降会随温度的升
高而（ ）。
2、一个P+N型的二极管，电子和空穴的寿命分别为τn 和τp ，在外加正向直流电压V 1时电流
为I 1，当外加电压反向为－V 2时，器件会经历一段反向恢复过程，这主要是由正向导通
时存储在（ ）型中性区中的非平衡少子造成的，该非平衡少子的总量为
（ ）。
3、防止PN 结发生热击穿，最有效的措施是降低器件的（ ）。同时，禁带宽带越
（ ）的半导体材料，其热稳定性越好。（第二个空填“大”或“小”）
4、双极型晶体管的基区宽度调变效应越严重，其厄尔利电压越（ ），共发射极增量输出电阻越（ ）。 （填“大”或“小”）
5、已知双极型晶体管的基区度越时间和基区少子寿命分别为τb 和τB ，则1/τB 表示的物理意义为（ ），因此τb /τB 可以表示
（ ）。
6、MOSFET 的亚阈区摆幅S 反应了在亚阈区中（ ）的控制能力。栅氧化层越厚，则S 越（ ），该控制能力越（ ）。（第二个空填“大”或“小”，
第三个空填“强”或“弱”）
7、当金属和P 型半导体形成金-半接触时，如果金属的功函数大于半导体的功函数，半导体表面将形成（ ），该结构（ ）单向导电性。（从以下选项中选择）
A 电子阻挡层 B 电子反阻挡层 C 空穴阻挡层 D 空穴反阻挡层
E 具有 F 不具有
微电子器件 试题共6页，第1页