2017年南通大学理学院805模拟数字电路之电子技术基础-模拟部分考研仿真模拟题
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2017年南通大学理学院805模拟数字电路之电子技术基础-模拟部分考研仿真模拟题（一） . . 2 2017年南通大学理学院805模拟数字电路之电子技术基础-模拟部分考研仿真模拟题（二） 11 2017年南通大学理学院805模拟数字电路之电子技术基础-模拟部分考研仿真模拟题（三） 22 2017年南通大学理学院805模拟数字电路之电子技术基础-模拟部分考研仿真模拟题（四） 32 2017年南通大学理学院805模拟数字电路之电子技术基础-模拟部分考研仿真模拟题（五） 42
一、判断题
1． P 沟道耗尽型MOSFET 的阈值电压（开启电压）大于0V 。（ ）
【答案】√
【解析】P 沟道耗尽型的阈值电压
2． N 沟道增强型MOSFET 的阈值电压（开启电压）小于0V 。（ ）
【答案】×
【解析】N 沟道增强型的开启电压
3． 欲提高多级放大电路的输出功率和效率，试判断以下一些措施的正确性。
（1）采用变压器耦合，实现阻抗交换，使负载与输出级阻抗相匹配。（ ） （2）输出级采用自举措施。（ ）
（3）适当增大输出级的直流供电电源。（ ） 【答案】×; √; √。
【解析】（1）中采用的变压器耦合功率放大电路虽然可以实现阻抗变换，理论上可以实现功率放大，但是效率较低，低频和高频特性较差；（2）（3）中功率放大电路的输出功率和效率都与直流电源电压成正关系，采用自举电路，使得直流电压升高，从而输出功率和效率提高。
4． 判断下列说法是否正确，用表示判断结果。
（1）为使电压比较器的输出电压不是高电平就是低电平，就应在其电路中使集成运放不是工作在开环状态，就是仅仅引入正反馈。（ ）
（2）如果一个滞回比较器的两个阈值电压和一个窗口比较器的相同，那么当它们的输入电压相同时，它们的输出电压波形也相同。（ ）
（3）输入电压在单调变化的过程中，单限比较器和滞回比较器的输出电压均只可能跃变一次。（ ）
（4）单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强，而滞回比较器比单限比较器灵敏度高。（ ）【答案】（1）
（2）
（3）
（4）
【解析】单限比较器具有电路简单、灵敏度高等优点，但其抗干扰能力差。为了克服这个缺点，可以采用滞回比较器，这种比较器有两个不同的门限电平，故传输特性呈滞回形状，抗干扰能力强。双限比较器也有两个门限电平，它可以检测输入模拟信号的电平是否处在两个给定的电平之间。
二、分析计算题
5． 设某集成运放的开环频率响应的表达式为
其中性负反
馈放大电路，并要求有【答案】（1）画波特图 由
画出波特图，如图所示。
（2）求最大环路增益:由图可知，当相位裕度
时
故最大环路増益为
（3）若用该运放组成电压跟随器，因故电路不能正常工作。
则要求
，而现在
的相位相度，问此放大电路的最大环路增益为多少？（3）若用该运放
组成一电压跟随器能否稳定地工作？
（1）画出它的波特图；（2）若利用该运放组成一电阻
图
6． 电路参数如图所示，求： （1）单端输出且（2）单端输出时，（3）电路的差模输入电阻【答案】（1）
时，
时，
是多少？和
的值；
和不接
时单端输出的电阻
共模输入电阻
时，
是多少？
当时，
（2）且单端输出时_，差模电压増益为
共模电压增益为共模抑制比为（3）差模输入电阻为
共模输入电阻为
输出电阻为
7． 在图所示电路中，已知二极管的导通电压
射极静态电位
。试问:
晶体管导通时的和管发
图
（1）（2）设
和
管基极的静态电位各为多少？
若
和
管基极的静态电流可忽略不计，则
管集电极静态电流