电子科技大学(成都)814电力电子技术2014考研试题研究生入学考试试题考研真题
● 摘要
电子科技大学
2014年攻读硕士学位研究生入学考试试题
考试科目：814 电力电子技术
注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上无效。
一、单项选择题。(每小题2分，共24分)
1. 当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在
( )
A. 导通状态 B. 关断状态 C. 饱和状态 D. 不定
2. 若增大SPWM 逆变器的输出电压基波频率，可采用的控制方法是( )
A. 增大三角波幅度 B. 增大三角波频率
C. 增大正弦调制波频率 D. 增大正弦调制波幅度
3. 采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为( )
A. 减小输出幅值 B. 增大输出幅值
C. 减小输出谐波 D. 减小输出功率
4. 单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( )
A.90° B.120° C.150° D.180°
5. 星型连接的三相三线交流调压电路，带电阻负载情况下，触发角α的移相范围为
( )
A.90° B.120° C.150° D.180°
6. 升降压斩波电路呈现升压状态的条件为( ) （其中α为导通比）。
A. 0<α<0.5 B. 0.5<α<1 C. 0<α<1 D. α=0.5
7. 三相半波可控整流电路带电阻性负载，触发角α的移相范围是（ ）
A 、30°～150 B 、0°～120° C 、15°～125° D 、0°～150°
8.IGBT 是一个复合型的器件，它是（ ）
A 、GTR 驱动的MOSFET B 、MOSFET 驱动的GTR
C 、MOSFET 驱动的晶闸管 D 、MOSFET 驱动的GTO
电力电子技术试题第 1 页 共 6 页
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