问题：
[多选] 按载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为（）。
A.单极型。B.双极型。C.多极型。D.混合型。
问题：
[多选] 根据控制信号的不同性质，电力电子器件可分为（）。
A.电阻型。B.电感型。C.电流型。D.电压型。
问题：
[多选] 可关断晶闸管GTO的门极电路由（）组成。
A.门极开通电路。B.门极关断电路。C.门极反偏电路。D.RCD吸收电路。
问题：
[多选] 关于二次击穿，以下说法正确的是（）。
A.大功率晶体管GTR不会发生二次击穿。B.功率MOSFET不会发生二次击穿。C.二次击穿可能使器件永久性损坏。D.二次击穿的过程很短暂。
问题：
[多选] 大功率晶体管GTR过电流保护有（）方式。
A.状态识别保护法。B.RCD吸收保护法。C.LEM模块保护法。D.桥臂互锁保护法。
问题：
[多选] 以下集成电路（）是GTR的专用集成电路。
A.HL201A/HL202A。B.IR2110、IR2115、IR2130。C.EXB35N系列。D.FA5310、FA5311。
问题：
[多选] 功率晶体管的浪涌电压吸收有（）形式。
A.RC吸收电路。B.RCL吸收电路。C.充放电RCD吸收电路。D.放电阻断RCD吸收电路。
问题：
[多选] LEM模块是快速过电流保护的理想器件，具有（）优点。
A.直接测量原边大电流，反应快。B.可测量交流、直流和脉冲电流。C.与被测线路隔离。D.响应速度快。
问题：
[多选] 功率MOSFET对驱动电路的要求是（）。
驱动信号的前后沿陡峭。驱动信号的电压应高于开启电压。信号电压应低于栅源击穿电压。截止时应加小于栅源击穿电压的电压。
问题：
[多选] 使用功率MOSFET时要注意（）。
A.防止静电击穿。B.防止二次击穿。C.MOSFET不能承受反压。D.栅源过电压保护。
