问题：
[单选] 下面不是制造非晶硅太阳电池常用的方法是（）。
A.辉光放电法。B.反应溅射法。C.化学气相沉积法。D.电镀法。
问题：
[单选] SiHCl3还原法制备晶体硅，在生产过程中不需要控制（）。
A.反应温度在280℃~300℃之间。B.硅粉与HCl在进入反应炉前要充分干燥。C.晶体生长速度。D.合成时加入少量的催化剂，可降低温度。
问题：
[单选] 进行光伏电池片焊接时，焊带最外层所涂的发亮金属是（）。
A.铝。B.银。C.白铁。D.焊锡。
问题：
[单选] 太阳能电池片的功率与其面积成比例，例如，125*125的功率为2.4W左右，125*62.5的功率为1.2W左右，那么62.5*62.5的功率约为（）。
A.2.4W。B.1.2W。C.0.6W。D.0.3W。
问题：
[单选] 层压组件时一般需要的时间为（）。
8分钟。15分钟。30分钟。60分钟。
问题：
[单选] 下面哪一项不属于SiHCl3的提纯的方法是（）。
A.横拉法。B.固体吸附法。C.精馏法。D.络合物形成法。
问题：
[单选] 以下省份中，年平均日照射强度最高省份是（）。
A.宁夏。B.河南。C.江苏。D.海南。
问题：
[单选] 下面是直拉法生产单晶硅工艺流程图正确顺序的是（）。
A.种晶—放肩—等径—引晶。B.引晶—放肩—等径—种晶。C.种晶—引晶—放肩—等径。D.引晶—种晶—放肩—等径。
问题：
[单选] 下列不是硅片主要切片方法的是（）。
A.外圆切割。B.内圆切割。C.多线切割。D.单线切割。
问题：
[单选] 制作太阳电池的工艺中不包括下列哪个方面（）。
A.硅片表面准备。B.制备防透膜。C.去背结。D.制结。
