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问题：

[填空题] GaAs以及InP的禁带宽度分别为（）；（），与高效率最适合的1.4ev~1.5ev相近。

参考答案

问题：

[填空题] 化合物半导体太阳能电池材料的重要特性参数有（）；（）、数载流子移动度i以及扩散长度L，特别是在太阳能电池中，复合效果也是重要的参数。

参考答案

问题：

[填空题] 几乎所有的III-v族化合物半导体都是（）能带结构，具有（），光吸收系数很大，对薄膜太阳能电池是有用的。

参考答案

问题：

[填空题] 太阳能电池材料是由元素周期表中的III族元素（）；（）和V族磷、砷元素组成的半导体，如用砷化镓、磷化铟等由III-V族化合物组成的半导体所构成的太阳能电池。

参考答案

问题：

[填空题] GaAs或InP太阳能电池由于（）且有（），作为空间太阳能电池已被实用化。

参考答案

问题：

[填空题] 为了实现光电转换效率高的太阳能电池，太阳光谱的整合是必要的，太阳能电池材料的禁带宽度Eg为（）左右，认为是最合适的，Eg为（）的GaAS及1.35ev的InP等应该是合适的。

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问题：

[单选] 现生产线，单、串焊接所用的电烙铁为（）

90W.150W。60W.80W。50W.100W。30W.90W。

参考答案

问题：

[单选] 焊带的外层所涂的发亮的金属中主要成分是（）

A、铁。B、焊锡。C、铝。D、银。

参考答案

问题：

[单选] 我们的组件要保证使用（），功率衰减不超过20％。

A、1年。B、2年。C、5年。D、25年。

参考答案

问题：

[单选] 单焊工序所使用的烙铁功率是（）

50W。90W。120W。150W。

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