问题：
[单选] 太阳电池是利用半导体（）的半导体器件。
光热效应。热电效应。光生伏打效应。热斑效应。
问题：
[单选] 连云港地区（北纬34.61°）夏至日中午12点的太阳高度角为（）
A、78.84°。B、81.16°。C、31.94°。D、101.16°。
问题：
[单选] 春分日时，太阳升起和降落的方位角分别为（）
A、-90.11°，90.11°。B、-89.89°，89.89°。C、-90°，90°。D、无法确定，与纬度有关系。
问题：
[单选] 当太阳高度角为30°时，由Lane经验公式求水平面上的太阳直射辐射度为（）
A、0.9226kW/m2。B、0.7726kW/m2。C、1.0938kW/m2。D、0.3863kW/m2。
问题：
[单选] 北纬45°，春分日时全天的日照时间为（）
A、11h。B、12h。C、11.95h。D、无法确定。
问题：
[单选] 下面哪个不是国际上统一规定的地面太阳能电池的标准测试条件（）
光源辐照度为1000W/m。测试温度为25℃。AM1.0地面太阳光谱辐照度分布。AM1.5地面太阳光谱辐照度分布。
问题：
[单选] 在大同地区（北纬40.1°，东京113.3°）建一太阳能光伏电站，若所用太阳能电池板方阵高度为2m，方阵最佳倾斜角为45°，则两排方阵之间的最小距离为（）
5.673m。4.259m。1.414m。3.011m。
问题：
[单选] 考虑一个特殊的半导体样品，通过计算，已知少子辐射复合寿命为150μs，俄歇复合寿命为50μs，陷阱复合过程的寿命为25μs，假设没有其它的有效复合过程，那么该材料少子的净寿命是（）
15μs。225μs。1.5μs。20μs。
问题：
[单选] 面积为10cm2的硅太阳能电池在100mw/cm2光照下，开路电压为600mV，短路电流为400mA，填充因子为0.8，则此硅太阳能电池的最大光电转换效率为（）
19.2℅。17.6℅。15.6℅。20.3℅。
问题：
[单选] 关于反向饱和电流密度，以下说法中错误的是（）
p-n结两边掺杂浓度相差较大时，反向饱和电流密度主要由掺杂浓度较低的一侧贡献。。在一定温度下，与Si材料相比，GaAs具有较小的有效态密度和较大的禁带宽度，所以GaAs可获得更低的反向饱和电流密度。。p-n结两边掺杂浓度越高，越有利于降低反向饱和电流密度。。与半导体中的载流子寿命、扩散长度、导带价带的有效态密度、掺杂浓度以及禁带宽度有关。赋予他们恰当值可以得到较大的VOC。。
