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问题:

[单选] 《金太阳示范工程关键设备基本要求(2012年)》中规定,晶体硅组件全光照面积的光电转换效率(含组件边框面积)应()。

≥12.5%。≥13.5%。≥14.5%。≥15.5%。

问题:

[单选] 非晶硅薄膜组件全光照面积的光电转换效率(含组件边框面积)应()。

≥7%。≥13.5%。≥15.5%。≥17%。

问题:

[单选] CIGS薄膜组件全光照面积的光电转换效率(含组件边框面积)应()。

≥10%。≥13%。≥15.5%。≥17%。

问题:

[单选] 根据《国家能源局关于加强金太阳示范项目并网管理的通知》(国能新能(2011)37号),金太阳示范项目中的用户侧光伏发电项目,按()的方式由项目单位自建自用,或由项目单位与用户单位以合同能源服务方式建设和管理。

自发自用。并网统筹。随意并网。不予并网。

问题:

[单选] 金太阳和太阳能光电建筑应用示范项目中,电网企业在收到项目并网意向函和全部项目信息后,应在()个工作日内予以答复。

13。15。20。10。

问题:

[单选] 根据《金太阳示范工程基本要求(2009年)》,金太阳和太阳能光电建筑应用示范项目中,晶体硅组件最高限价()元/峰瓦。

4。8。14。6。

问题:

[单选] 金太阳和太阳能光电建筑应用示范项目中,非晶硅薄膜组件最高限价()元/峰瓦。

4。8。9。6。

问题:

[单选] 单晶硅组件效率不低于()。

0.15。0.1。0.14。0.06。

问题:

[单选] 多晶硅组件效率不低于()。

0.15。0.1。0.14。0.06。

问题:

[单选] 非晶硅薄膜组件效率不低于()。

0.15。0.1。0.14。0.06。