问题：
[单选] 采用硬开关技术设计的开关电源一般称为（）。
A、MOSFET。B、IGBT。C、ZCS。D、SMR。
A、20%～40%。B、65%～90%。C、40%～80%。D、20%～50%。
问题：
[单选] 开关电源具备低差自主均流技术，因此各模块开机输出时的电流不平衡度小于（）。
A、15%。B、10%。C、8%。D、5%。
A、25%～45%。B、65%～95%。C、35%～80%。D、65%～95%。
问题：
[单选] 开关电源按其所用开关器可分为IGBT开关电源、双极型晶体管开关电源和（）开关电源。
A、MOSFET管。B、二极管。C、三极管。D、单结晶体管。
问题：
[单选] MOSFET管用于开关频率在（）kHz以上的开关电源中。
A、50。B、80。C、100。D、150。
问题：
[单选] MOSFET功率管的三个极分别为漏极、栅极和（）。
A、基极。B、源极。C、发射极。D、阻板。
问题：
[单选] 一般开关电源MOSFET管的漏、源极完全导通时的栅极电压为（）V。
A、0。B、1。C、5。D、10。
问题：
[单选] 开关电源中（）是开关功率管的直接负载。
A、驱动电路。B、控制电路。C、整流滤波电路。D、高频变压器。
问题：
[单选] 高频变压器的频率损耗主要是由于（）中的漏电流引起的。
A、副边线圈。B、线圈。C、磁芯。D、散热装置。
