问题：
[问答题,简答题] 四管与非门中，如果高电平过低，低电平过高，分析其原因，如与改善方法，请说出你的想法。
问题：
[问答题,简答题] 为什么TTL与非门不能直接并联。
问题：
[问答题,简答题] OC门在结构上作了什么改进，它为什么不会出现TTL与非门并联的问题？
问题：
[问答题,简答题] 什么是器件的亚阈值特性，对器件有什么影响？
问题：
[问答题,简答题] MOS晶体管的短沟道效应是指什么，其对晶体管有什么影响？
问题：
[问答题,简答题] 请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应，并解释其对PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响。
问题：
[问答题,简答题] 什么是沟道长度调制效应，对器件有什么影响？
问题：
[问答题,简答题] 为什么MOS晶体管会存在饱和区和非饱和区之分（不考虑沟道调制效应）？
问题：
[问答题,简答题] 采用MOSFET作为nMOS反相器的负载器件有哪些优点？
问题：
[问答题,简答题] 耗尽型负载nMOS反相器相比于增强型负载nMOS反相器有哪些好处？
