问题：
[单选] 采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是（）的。
结晶形态。非结晶形态。可能是结晶形态的，也可能是非结晶形态的。以上都不对。
问题：
[单选] 二氧化硅薄膜的折射率是表征其（）学性质的重要参数。
电。磁。光。热。
问题：
[单选] 下列几种氧化方法相比，哪种方法制得的二氧化硅薄膜的电阻率会高些（）。
干氧氧化。湿氧氧化。水汽氧化。与氧化方法无关。
问题：
[单选] 干氧氧化中，氧化炉内的气体压力应（）一个大气压。
稍高于。大大于。等于。没有要求。
问题：
[单选] 干氧氧化法有一些优点，但同时它的缺点有（）。
生长出的二氧化硅中引入很多可动离子。氧化的速度慢。生长的二氧化硅缺陷多。生长的二氧化硅薄膜钝化效果差。
问题：
[多选] 干氧氧化法具备以下一系列的优点（）。
生长的二氧化硅薄膜均匀性好。生长的二氧化硅干燥。生长的二氧化硅结构致密。生长的二氧化硅是很理想的钝化膜。生长的二氧化硅掩蔽能力强。
问题：
[单选] 当二氧化硅膜很薄时，膜厚与时间（）。
t2成正比。t2成反比。t成正比。t成反比。
问题：
[单选] 当热氧化的最初阶段，（）为限制反应速率的主要原因。
温度。硅-二氧化硅界面处的化学反应。氧的扩散速率。压力。
高压氧化。湿氧氧化。掺氯氧化。氢氧合成氧化。等离子增强氧化。
问题：
[单选] 表示杂质在硅-二氧化硅界面处重新分布的性质和程度，习惯上常用（）。
分凝度。固溶度。分凝系数。扩散系数。
