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当前位置:集成电路制造工艺员题库>
集成电路制造工艺员(三级)题库
问题:
[单选] 用电容-电压技术来测量扩散剖面分布是用了()的原理。
pn结理论。欧姆定律。库仑定律。四探针技术。
参考答案
问题:
[单选] 如果磷在二氧化硅中扩散,对扩散率影响最大的因素是:()。
扩散剂总量。压强。温度。浓度。
参考答案
问题:
[单选] He,OH,Na等元素在900℃下,在二氧化硅中的扩散率大于10-13cm2/s,这些元素称为()。
活跃杂质。快速扩散杂质。有害杂质。扩散杂质。
参考答案
问题:
[单选] 下列哪些元素在硅中是快扩散元素:()。
Na。B。P。As。
参考答案
问题:
[单选] 通常热扩散分为两个大步骤,其中第一个步骤是()。
再分布。等表面浓度扩散。预淀积。等总掺杂剂量扩散。
参考答案
问题:
[单选] 在将清洗完的硅片放进扩散炉扩散时,需要将硅片先装入(),然后再装入扩散炉。
耐热陶瓷器皿。金属器皿。石英舟。玻璃器皿。
参考答案
问题:
[单选] 半导体硅常用的施主杂质是()。
锡。硫。硼。磷。
参考答案
问题:
[单选] 化合物半导体砷化镓常用的施主杂质是()。
锡。硼。磷。锰。
参考答案
问题:
[单选] 半导体硅常用的受主杂质是()。
锡。硫。硼。磷。
参考答案
问题:
[多选] 下列扩散杂质源中,()不仅是硅常用的施主杂质,也是锗常用的施主杂质。
硼。锡。锑。磷。砷。
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