[单选] 下列属于制作非晶硅太阳电池常用的方法的是（）。

半导体硅材料制备中产生的硅烷在常温下是一种气体，其分子式为（）。 A.SiH₂。 B.SiH。 C.SiH₃。 D.SiH₄。 将硅锭切割成硅片的过程中，多线切割对硅片造成的损伤层的厚度约为（）μm。 A.10。 B.20。 C.5。 D.15。 光伏电池组件电学特性测试中不必用到的设备是（）。 A.气压表。 B.电流表。 C.电压表。 D.滑动变阻器。 制作太阳电池的工艺中不包括下列哪个方面（）。 A.硅片表面准备。 B.制备防透膜。 C.去背结。 D.制结。 下列不是硅片主要切片方法的是（）。 A.外圆切割。 B.内圆切割。 C.多线切割。 D.单线切割。 下列属于制作非晶硅太阳电池常用的方法的是（）。